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온도 센서 회로에 있어서,문턱값 미만 영역에서 동작되는 복수의 트랜지스터 및 저항을 포함하여, 온도에 대한 비선형적 PTAT(Proportional To Absolute Temperature)전류를 생성하는 PTAT 전류 생성부;상기 비선형적 PTAT 전류를 인가받는 단일 접합형 트랜지스터(BJT) 온도 센서부; 및상기 단일 접합형 트랜지스터의 이미터-베이스 전압으로부터 온도 값을 판별하는 온도 산출부를 포함하는온도 센서 회로
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제1항에 있어서,상기 PTAT 전류의 온도에 대한 비선형적 특성이 상기 단일 접합형 트랜지스터의 전류에 대한 비선형적 출력 특성과 상쇄되어, 상기 단일 접합형 트랜지스터의 이미터-베이스 전압은 온도에 따른 선형적 특성을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로
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제1항에 있어서,상기 PTAT 전류 생성부는소스가 전압원에 병렬 연결되며, 게이트 전압이 상기 온도 센서부의 트랜지스터로 인가되는 제1 PMOS 트랜지스터와 제2 PMOS 트랜지스터;드레인 및 게이트가 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 소스가 접지되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및게이트가 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 드레인이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트 및 드레인과 연결되며, 소스가 저항의 일단에 연결되고, 상기 저항의 타단은 접지되는 제2 NMOS 트랜지스터를 포함하는온도 센서 회로
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제1항에 있어서,상기 PTAT 전류는, 온도에 대한 비선형적 특성에 따라, 온도 대비 전압 그래프가 ∪자형 커브 곡선을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로
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제4항에 있어서,상기 단일 접합형 트랜지스터(BJT)의 이상적(IDEAL) 전류에 따른 이미터-베이스 출력 특성은, 온도 대비 전압 그래프가 ∩자형 커브 곡선을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로
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온도 센서 회로의 온도 센싱 방법에 있어서,문턱값 미만 영역에서 동작되는 복수의 트랜지스터 및 저항을 이용하여, 온도에 대한 비선형적 PTAT(Proportional To Absolute Temperature)전류를 생성하는 단계;단일 접합형 트랜지스터(BJT)를 갖는 온도 센서부를 통해 상기 비선형적 PTAT 전류를 인가받는 단계; 및상기 단일 접합형 트랜지스터의 이미터-베이스 전압으로부터 온도 값을 판별하는 단계를 포함하는온도 센서 회로의 온도 센싱 방법
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제6항에 있어서,상기 PTAT 전류의 온도에 대한 비선형적 특성이 상기 단일 접합형 트랜지스터의 전류에 대한 비선형적 출력 특성과 상쇄되어, 상기 단일 접합형 트랜지스터의 이미터-베이스 전압은 온도에 따른 선형적 특성을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로의 온도 센싱 방법
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제6항에 있어서,상기 PTAT 전류 생성부는소스가 전압원에 병렬 연결되며, 게이트 전압이 상기 온도 센서부의 트랜지스터로 인가되는 제1 PMOS 트랜지스터와 제2 PMOS 트랜지스터;드레인 및 게이트가 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 소스가 접지되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및게이트가 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 드레인이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트 및 드레인과 연결되며, 소스가 저항의 일단에 연결되고, 상기 저항의 타단은 접지되는 제2 NMOS 트랜지스터를 포함하는온도 센서 회로의 온도 센싱 방법
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제6항에 있어서,상기 PTAT 전류는, 온도에 대한 비선형적 특성에 따라, 온도 대비 전압 그래프가 ∪자형 커브 곡선을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로의 온도 센싱 방법
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제9항에 있어서,상기 단일 접합형 트랜지스터(BJT)의 이상적(IDEAL) 전류에 따른 이미터-베이스 출력 특성은, 온도 대비 전압 그래프가 ∩자형 커브 곡선을 갖는 것을 특징으로 하는온도 센서 회로의 온도 센싱 방법
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