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2차원 반도체에 있어서,제1 두께로 형성된 제1 레이어; 제2 두께로 형성된 제2 레이어를 포함하고,상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이하고,상기 제1 레이어는 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 제2 전극과 제2 접합을 형성하는 2차원 반도체
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제1항에 있어서,상기 2차원 반도체는 이황화 텅스텐, 전이금속 칼코게나이드 화합물(Transition Metal Dichalcogenides(TMDs) 및 흑린(black phosphorus) 중에서 적어도 하나인 2차원 반도체
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제1항에 있어서,상기 제1 접합은 쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나이고, 상기 제2 접합은 쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나인 2차원 반도체
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제2항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드 화합물은 WSe2, WTe2, MoS2, MoSe2, 및 MoTe2 중에서 적어도 하나를 포함하는 2차원 반도체
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제1항에 있어서,상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어는 반도체 성장(growth), 열 식각법, 화학적 식각법, 레이저 식각법 중에서 적어도 하나를 통해 서로 다른 두께로 형성되는 2차원 반도체
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2차원 반도체 제조 방법에 있어서,제1 두께의 제1 레이어를 형성하는 단계; 및제2 두께의 제2 레이어를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이하고,상기 제1 레이어는 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 제2 전극과 제2 접합을 형성하는 2차원 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 2차원 반도체는 이황화 텅스텐, 전이금속 칼코게나이드 화합물(Transition Metal Dichalcogenides(TMDs) 및 흑린(black phosphorus) 중에서 적어도 하나인 2차원 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 접합은 쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나이고, 상기 제2 접합은 쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나인 2차원 반도체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드 화합물은 WSe2, WTe2, MoS2, MoSe2, 및 MoTe2 중에서 적어도 하나를 포함하는 2차원 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어는 반도체 성장(growth), 열 식각법, 화학적 식각법, 레이저 식각법 중에서 적어도 하나를 통해 서로 다른 두께로 형성되는 2차원 반도체 제조 방법
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제1 두께로 형성된 제1 레이어와 제2 두께로 형성된 제2 레이어를 포함하는 2차원 반도체;상기 제1 레이어와 제1 접합을 형성하는 제1 전극; 및상기 제2 레이어와 제2 접합을 형성하는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이한 반도체 소자
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제11항에 있어서,상기 제1 접합은 쇼트키 접합이고, 상기 제2 접합은 오믹 접합인 반도체 소자
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제12항에 있어서,상기 제2 두께는 제1 두께보다 큰 반도체 소자
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제11항에 있어서,상기 반도체 소자는 다이오드인 반도체 소자
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