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표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 나노와이어 구조체를 집적하여 적층시키는 단계; 및(b) 상기 나노와이어 구조체에 레이저 빔을 집속하여 상기 나노와이어 구조체를 나노 입자로 변환하는 단계를 포함하며, 상기 (b) 단계는,박리 문턱 값 이상의 레이저 빔을 상기 나노와이어 구조체에 집속하여 상기 나노와이어 구조체의 상폭발을 발생시키는 단계; 및상기 상폭발에 의해 상기 나노와이어 구조체가 직경 20 내지 80 나노미터(nm)의 구 형상의 나노 입자로 변환되어 1 내지 10 나노미터(nm) 간격으로 배열되는 단계;를 포함하고,상기 나노 입자는,인접한 나노 입자와의 표면 플라즈몬 공명으로 검출하고자 하는 분자의 라만 신호 증폭을 일으키며,상기 표면 증강 라만 분광용 기판은,상기 나노 입자의 직경 및 배열에 기초하여 인접한 나노 입자 간 표면 플라즈몬 공명으로 107 내지 108의 증강계수가 형성되어 단분자를 감지하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 나노와이어 구조체에 펄스 레이저 빔을 집속하여 상기 나노와이어 구조체의 상폭발을 일으킴에 따라 상기 나노와이어 구조체를 구 형상의 나노 입자로 변환시키는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 나노와이어 구조체를 직경 20 내지 80 나노미터(nm)의 나노 입자로 변환시키는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 나노와이어 구조체의 상폭발로 플라즈마 충격파가 유도되어 상기 구 형상의 나노 입자를 1 내지 10 나노미터(nm) 간격으로 배열시키는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b)단계는,박리 문턱 값 이상의 레이저 빔을 상기 나노와이어 구조체에 집속하여, 상폭발과 플라즈마 충격파를 유도하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판 제조 방법
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기판상에 적층된 나노와이어 구조체에 박리 문턱 값 이상의 레이저 빔을 조사하여 변환된 나노 입자가 배열된 표면 증강 라만 분광용 기판에 있어서,1차원 나노와이어 구조체의 상폭발로 변환된 20 내지 80 나노미터(nm)의 직경을 갖는 구 형상의 나노 입자가 1 내지 10 나노미터(nm)로 배열되어,인접한 나노 입자 간 표면 플라즈몬 공명으로 내지 의 증강계수를 형성하여 단분자를 감지할 수 있는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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