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금속의 선택적 제거 및 무전해 도금을 이용한 금속 나노 패턴 형성 방법에 있어서, 금속 물질이 코팅된 나노 요철 패턴을 포함하는 기판을 준비하는 단계; UV 경화형 점착제를 미리 설정된 시간 동안 전경화(precuring)하는 단계; 상기 전경화된 UV 경화형 점착제를 상기 나노 요철 패턴 중 돌출부에 코팅된 금속 물질 상에 점착하는 단계; 상기 돌출부에 코팅된 금속 물질이 제거되고 만입부에 코팅된 금속 물질 중 적어도 일부가 잔여하도록 상기 UV 경화형 점착제를 상기 기판으로부터 분리하여 상기 금속 물질에 대한 선택적 전사를 수행하는 단계; 및 상기 나노 요철 패턴 중 만입부에 코팅된 금속 물질 중 적어도 일부를 성장의 핵으로 사용하는 무전해 도금을 수행하여, 상기 기판에 금속 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 UV 경화형 점착제를 미리 설정된 시간 동안 전경화(precuring)하는 단계는 상기 UV 경화형 점착제가 상기 기판에 점착될 때 상기 만입부에 코팅된 금속 물질에 점착되지 않고 상기 돌출부에 코팅된 금속 물질 전체 부분에 걸쳐 점착될 수 있도록 전경화되는 시간을 조절하는 단계를 포함하는 금속 나노 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 UV 경화형 점착제를 상기 기판으로부터 분리하여 상기 금속 물질에 대한 선택적 전사를 수행하는 단계는 상기 기판에 점착된 UV 경화형 점착제를 완전 경화하는 단계; 및 상기 완전 경화된 UV 경화형 점착제를 상기 기판으로부터 분리하여, 상기 만입부에 코팅된 금속 물질 중 적어도 일부를 잔여시키며 상기 돌출부에 코팅된 금속 물질을 제거하는 단계를 포함하는 금속 나노 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판에 금속 나노 패턴을 형성하는 단계는 상기 만입부에 코팅된 금속 물질 중 적어도 일부와 상기 돌출부 사이의 표면 에너지 차이를 이용하는 상기 무전해 도금을 수행하여, 상기 만입부에 코팅된 금속 물질 중 적어도 일부를 선택적으로 성장시키는 단계; 및 상기 성장 결과, 상기 만입부에 상기 금속 물질이 채워지는 상기 금속 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 금속 나노 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계는 상기 나노 요철 패턴의 표면이 30 이하의 표면 에너지를 갖도록 상기 나노 요철 패턴의 표면이 소수성 물질로 형성된 상기 기판을 준비하는 단계를 포함하는 금속 나노 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 나노 요철 패턴의 표면은 상기 금속 물질에 대한 선택적 전사를 수행한 결과, 상기 돌출부에 코팅된 금속 물질만이 제거되고, 상기 무전해 도금을 수행한 결과, 상기 만입부에만 상기 금속 물질이 채워지도록 상기 30 이하의 표면 에너지를 갖는, 금속 나노 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 물질로 Al이 사용되고, 상기 기판에 금속 나노 패턴을 형성하는 단계는 비활성 기체 환경 아래, 상기 만입부에 코팅된 Al을 성장의 핵으로 사용하는 무전해 도금을 수행하는 단계; 및 상기 무전해 도금을 수행한 결과, 상기 기판에 Al 기반의 상기 금속 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 금속 나노 패턴 형성 방법
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