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기판;상기 기판 상의 채널층;상기 채널층 상에 분산되어 배치되는 광 흡수 구조체들; 및상기 기판 상에 배치되고, 상기 채널층의 양측에 배치되는 전극들;을 포함하되,상기 채널층 및 상기 광 흡수 구조체들은 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 적외선 광 센서
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제 1 항에 있어서,상기 채널층은 결정면이 상기 기판의 표면과 평행한 2차원의 결정 구조를 갖는 적외선 광 센서
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제 2 항에 있어서,상기 채널층은 하나의 분자층을 갖는 단분자층(mono-molecular layer), 또는 복수의 분자층을 갖는 다분자층(multi-molecular layer)으로 구성되는 적외선 광 센서
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제 1 항에 있어서,상기 채널층 및 상기 광 흡수 구조체들은 동일한 물질로 구성되는 적외선 광 센서
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 구조체들의 폭 및 높이는 1nm 내지 10000nm인 적외선 광 센서
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 구조체들의 표면에 화학적으로 결합되는 파장 조절 원소를 더 포함하는 적외선 광 센서
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제 6 항에 있어서,상기 파장 조절 원소는 수소, 산소, 칼코겐 원소, 할로겐 원소 또는 전이금속 원소를 포함하는 적외선 광 센서
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기판 상에 채널층을 형성하는 것;상기 채널층의 상면 상에 광 흡수 구조체들을 성장시키는 것; 및상기 기판 상의 상기 채널층의 양측에 전극들을 형성하는 것;을 포함하되,상기 채널층을 형성하는 것 및 상기 광 흡수 구조체들을 형성하는 것은: 상기 기판 일측에 전이금속 원소 소스 및 칼코겐 원소 소스를 제공하는 것; 상기 기판 상에 상기 전이금속 원소 소스의 증기 및 상기 칼코겐 원소 소스의 증기를 공급하는 것; 및 상기 기판 상에 열을 가하는 것;을 포함하는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 채널층 및 상기 광 흡수 구조체들은 동일한 공정을 연속적으로 수행하는 인-시츄 방식(in-situ manner)으로 형성되는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 채널층의 형성 공정 시, 상기 칼코겐 원소 소스의 증기는 상기 전이금속 원소 소스의 증기에 대한 제 1 분압비를 갖고,상기 광 흡수 구조체들의 형성 공정 시, 상기 칼코겐 원소 소스의 증기는 상기 전이금속 원소 소스의 증기에 대한 제 2 분압비를 갖되,상기 제 2 분압비는 상기 제 1 분압비보다 작은 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 채널층 및 상기 광 흡수 구조체들은 동시에 형성되는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 광 흡수 구조체들은 상기 채널층 상에서 국부적으로 성장하는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 채널층은 수평 성장하여, 상기 기판의 상면과 평행한 2차원 결정 구조를 갖도록 형성되는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 광 흡수 구조체들을 형성한 후,상기 광 흡수 구조체들의 표면에 파장 조절 원소를 결합시키는 것을 더 포함하는 적외선 광 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 파장 조절 원소를 결합시키는 것은 플라즈마 증착 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 박막 증착(ALD) 공정을 포함하는 적외선 광 센서의 제조 방법
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