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입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019024804
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입도와 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 입도와 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬의 제조방법은 원료로 사용되는 조탄산리튬의 85% 이상을 2 내지 8㎛로 입도와 입도분포 및 형상이 조절된 탄산리튬의 형태로 회수하는 효과가 있다. 본 발명의 입도와 입도분포 및 형상이 조절된 탄산리튬은 순도가 99.5% 이상인 탄산리튬으로서, 불순물인 인 농도가 0.005% 이하, 황 0.01%이하 나트륨 0.02% 이하이고 입도가 4 내지 10㎛으로 비표면적이 넓어 반응성이 뛰어난 고순도 탄산리튬이다. 본 발명의 제조방법은 탄산리튬을 선택적으로 용해시킨 다음 같이 공존하는 황산이온을 황산바륨의 형태로 제거한 고순도의 탄산리튬용해액과 고순도의 탄산리튬 입자를 seed로 사용하여 seed의 표면에 탄산리튬이 석출되도록 하여 순도가 높은 탄산리튬을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 석출된 탄산리튬을 다시 한번 더 용해성환경에 노출시킴으로써 불안정한 표면을 갖는 미립자나 날카로운 모서리를 제거하여 입도가 균일하고 유동성이 우수한 탄산리튬을 얻을 수 있는 장점이 있다.
Int. CL C01D 15/08 (2006.01.01) C01B 25/30 (2006.01.01) C01D 15/06 (2006.01.01)
CPC C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01) C01D 15/08(2013.01)
출원번호/일자 1020170151354 (2017.11.14)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1973479-0000 (2019.04.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영준 강원

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 강원도 춘천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1128656-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0054611-92
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0298118-03
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0298119-48
5 등록결정서
Decision to grant
2019.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0283490-68
6 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5024502-68
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
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번호 청구항
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폐리튬이차전지로부터 고순도의 인산리튬을 제조하는 제1공정 및 상기 고순도 인산리튬으로부터 고순도 황산리튬을 제조하고 상기 고순도 황산리튬으로부터 저순도 조탄산리튬을 제조하는 제2공정에 의해 제조되어 20~200um의 크기의 다결정 상태이며 불순물로 나트륨 및 황산이온을 함유하는 저순도 조탄산리튬을 물과 혼합하여 조탄산리튬 슬러리를 제조하는 단계(a);상기 조탄산리튬 슬러리를 탄산화하여 용해시키는 단계(b);상기 탄산화된 조탄산리튬 슬러리를 1차 고액분리하고 여과액을 수득하는 단계(c);상기 1차 고액분리에서 수득한 여과액에 가용성 바륨염을 첨가하여 황산바륨을 침전시키는 단계(d);상기 황산바륨이 침전된 여과액을 2차 고액분리하여 여과액을 수득하는 단계(e);상기 2차 고액분리로부터 수득한 여과액에 탄산리튬 종결정을 혼합하여 상기 여과액의 용해된 탄산리튬을 상기 탄산리튬 종결정의 표면에 석출시켜 입도가 제어된 고순도 탄산리튬을 포함하는 고순도 탄산리튬 슬러리를 제조하는 단계(f); 및상기 입도 및 입도 분포가 제어된 고순도 탄산리튬 슬러리에 탄산화를 수행하여 입도 분포 및 형상이 제어된 고순도 탄산리튬을 제조하는 단계(g);를 포함하는 저순도 조탄산리튬으로부터 입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬을 제조하는 방법에 있어서,상기 단계(f)의 탄산리튬 석출은 입도가 2 내지 5um인 탄산리튬종결정을 상기 2차 고액분리로부터 수득한 여과액 1 리터에 대하여 5 내지 50g을 첨가한 후 1기압 이하의 감압 환경, 50 내지 100℃의 온도범위 및 50 내지 400rpm의 교반속도 범위의 조건에서 반응시켜 수행하거나 입도가 2 내지 5um인 탄산리튬종결정을 상기 2차 고액분리로부터 수득한 여과액 1 리터에 대하여 5 내지 50g을 첨가한 후 0
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삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1공정은,폐리튬이차전지 폐액을 활성탄에 통과시켜 유기물을 제거하는 단계(h);상기 유기물이 제거된 폐리튬이차전지 폐액에 포함된 리튬이온의 농도를 측정한 후 Na3PO4, Na2HPO4, NaH2PO4, K3PO4, 또는 H3PO4를 포함하는 가용성인산염 또는 상기 가용성인산염의 수용액을 상기 유기물이 제거된 페리튬이차전지 폐액 내에 존재하는 리튬이온 농도의 2배 당량으로 첨가하여 인산리튬-폐액을 제조하는 단계(i);상기 인산리튬-폐액에 NaOH 또는 KOH를 포함하는 pH 조절제를 첨가하여 pH를 13이상으로 유지하고 70℃에서 60분간 반응 시킨 후 고액분리를 수행하여 고체상으로 석출되는 저순도 인산리튬 제조하는 단계(j);상기 고체상으로 석출된 저순도 인산리튬 1중량부에 대하여 10중량부의 물을 첨가하고 H3PO4, H2CO3, H2SO4, HNO3, 또는 HCl을 포함하는 산 또는 상기 산의 수용액을 첨가하여 pH가 10인 인산리튬 숙성용액을 제조하는 단계(k);상기 인산리튬숙성용액을 상온에서 30분 이상 교반하여 상기 인산리튬을 숙성하는 단계(l);상기 숙성된 인산리튬 숙성용액에 수산화리튬 수용액을 상기 산 첨가량의 당량만큼 첨가하여 pH가 13인 인산리튬 석출용액을 제조하는 단계(m); 및 상기 인산리튬 석출용액을 70℃에서 60분 이상 교반하여 고순도 인산리튬을 수득하는 단계(n);를 포함하며,상기 제2공정은,고순도의 인산리튬을 황산수용액과 혼합하여 인산리튬-황산혼합액을 제조하는 단계(o);상기 인산리튬-황산혼합액을 농축하고 고액분리를 수행하여 고체상의 고순도 황산리튬을 수득하는 단계(p);상기 고순도 황산리튬을 물 또는 수산화나트륨 수용액에 용해하고 황산리튬 수용액의 pH를 12이상으로 유지함으로써 잔류인산을 인산리튬으로 침전한 다음 고액분리하여 인성분이 제거된 황산리튬수용액을 수득하는 단계(q); 및상기 황산리튬수용액에 탄산염, 탄산염수용액 또는 탄산가스를 첨가하여 탄산리튬을 침전하고 고액분리하여 고체상의 20~200um의 크기의 다결정 상태인 저순도 조탄산리튬을 수득하는 단계(r);를 포함하는 것을 특징으로 하는 저순도 조탄산리튬으로부터 입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬을 제조하는 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 단계(q)의 잔류인산을 인산리튬으로 침전시키는 반응은 상기 황산리튬 수용액의 농도가 0
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 단계(r)의 탄산리튬의 침전반응은 황산리튬 수용액의 황산리튬 농도를 0
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)의 조탄산리튬 슬러리는 조탄산리튬 1중량부에 대하여 5 내지 20 중량부의 물을 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 저순도 조탄산리튬으로부터 입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬을 제조하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)의 조탄산리튬 슬러리 탄산화는 1리터의 조탄산리튬 슬러리에 대하여 500ml/min 유속의 탄산가스(CO2)를 1시간 공급하는 것을 특징으로 하는 저순도 조탄산리튬으로부터 입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬을 제조하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (d)의 가용성 바륨염은 질산바륨, 염화바륨, 수산화바륨, 및 황화바륨으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 0
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 단계(f)의 탄산리튬 석출과정에서 발생하는 이산화탄소(CO2)는 회수하여 조탄산리튬 슬러리를 탄산화(단계(b))에 재사용하는 것을 특징으로 하는 저순도 조탄산리튬으로부터 입도, 입도분포 및 형상이 조절된 고순도 탄산리튬을 제조하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109775732 CN 중국 FAMILY
2 US10336624 US 미국 FAMILY
3 US20190144295 US 미국 FAMILY

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1 CN109775732 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US10336624 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2019144295 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성일망간(주) 에너지기술개발사업 이차전지 재활용공정에서 발생하는 폐액으로부터 이차전지용 고순도 황산망간 제조 기술 개발