| [KST2016007923][한국전기연구원] |
쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법(Fabrication Methods Of Schottky Barrier Diodes) |
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| [KST2021000258][한국전기연구원] |
강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법 |
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| [KST2023003641][한국전기연구원] |
절연 또는 반절연 SiC 기판에 구현된 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
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| [KST2016019020][한국전기연구원] |
순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법(Silicon carbide shottky diode forward chracteristic is improved and manufacturing method thereof) |
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| [KST2018015363][한국전기연구원] |
몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드 및 그 제조방법 |
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| [KST2019000436][한국전기연구원] |
낮은 결함 밀도 및 저저항을 갖는 SiC 금속 산화물 반도체 소자의 제조 방법 |
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| [KST2018004021][한국전기연구원] |
아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 및 제조방법(The silicon carbide diodes and manufacturing methods, including the amine-based polymer) |
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| [KST2018014264][한국전기연구원] |
폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법 |
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| [KST2020004212][한국전기연구원] |
SiC 반도체의 깊은 준위 결함 제거 방법 |
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| [KST2016007495][한국전기연구원] |
절연 또는 반절연 ＳｉＣ 기판에 구현된 ＳｉＣ 반도체 소자 및 그 제조 방법(Implementation of SiC Semiconductor Devices On SiC Insulation or Semi-insulation Substrate And Manufacturing Methods of The Same) |
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| [KST2019022003][한국전기연구원] |
실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법 |
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| [KST2021001910][한국전기연구원] |
트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법 |
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| [KST2018004655][한국전기연구원] |
실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON-CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE) |
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| [KST2022002915][한국전기연구원] |
증착 후 NO 열처리를 적용한 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 제조 방법 |
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| [KST2017007439][한국전기연구원] |
전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 및 그 제조방법(Power semiconductor device and a method of manufacturing the same electric field limiting ring is formed) |
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| [KST2019009797][한국전기연구원] |
SiC MOSFET용 트렌치 게이트 산화막 형성방법 |
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| [KST2019024833][한국전기연구원] |
트렌치 게이트형 탄화규소 모스펫 구조 및 그 제조방법 |
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| [KST2018004656][한국전기연구원] |
실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON-CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE) |
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