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터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀 및 이를 포함하는 터너리 내용 주소화 메모리

  • 기술번호 : KST2019024924
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀은 제1 저장부, 제2 저장부 및 비교부를 포함한다. 상기 제1 저장부는 제1 데이터를 저장한다. 상기 제2 저장부는 제2 데이터를 저장한다. 상기 비교부는 상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 출력 단자에 연결되며, 입력 매칭 신호를 수신하고, 수신한 상기 입력 매칭 신호를 출력하거나 차단한다. 상기 비교부는 제1 비교 스위칭 소자 및 상기 제1 비교 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 비교 인버터를 포함한다.
Int. CL G11C 15/00 (2006.01.01) G11C 11/56 (2006.01.01) G11C 15/04 (2006.01.01)
CPC G11C 15/00(2013.01) G11C 15/00(2013.01) G11C 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020160089751 (2016.07.15)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1747253-0000 (2017.06.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.15)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍상훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김성원 대한민국 부산광역시 남구
3 도현진 대한민국 인천광역시 강화군
4 박종휘 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영한 대한민국 서울 강남구 역삼동 ***-**호 세일빌딩 *, *층(**세기특허법률사무소)
2 지덕규 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0686040-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0052061-36
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.01.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0062071-53
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0012184-91
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0101654-10
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0016200-27
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0124636-82
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0359864-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 데이터를 저장하는 제1 저장부;제2 데이터를 저장하는 제2 저장부; 및상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 출력 단자에 연결되며, 입력 매칭 신호를 수신하고, 수신한 상기 입력 매칭 신호를 출력하거나 차단하는 비교부를 포함하며,상기 비교부는 제1 비교 스위칭 소자 및 상기 제1 비교 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 비교 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
2 2
제1항에 있어서, 상기 비교 인버터는 제2 비교 스위칭 소자; 및 상기 제2 비교 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 제3 비교 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 상기 출력 단자에 연결되는 제어 전극, 전원 전압이 인가되는 입력 전극 및 상기 제2 비교 스위칭 소자의 입력 전극과 연결되는 출력 전극을 포함하고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제1 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 상기 제3 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제2 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 접지에 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
5 5
제2항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터이고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 상기 출력 단자에 연결되는 제어 전극, 상기 제3 비교 스위칭 소자의 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 접지에 연결되는 출력 전극을 포함하고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 전원 전압이 인가되는 입력 전극 및 상기 제3 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제2 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 상기 제1 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 상기 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리의 저장 셀
7 7
서로 연결되는 복수의 저장 셀들을 포함하고, 상기 저장 셀은제1 데이터를 저장하는 제1 저장부;제2 데이터를 저장하는 제2 저장부; 및상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 출력 단자에 연결되며, 입력 매칭 신호를 수신하고, 수신한 상기 입력 매칭 신호를 다음 저장 셀의 비교부로 전달하거나 차단하는 비교부를 포함하며,상기 비교부는 제1 비교 스위칭 소자 및 상기 제1 비교 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 비교 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 비교 인버터는 제2 비교 스위칭 소자; 및 상기 제2 비교 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 제3 비교 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 상기 출력 단자에 연결되는 제어 전극, 전원 전압이 인가되는 입력 전극 및 상기 제2 비교 스위칭 소자의 입력 전극과 연결되는 출력 전극을 포함하고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제1 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 상기 제3 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제2 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 접지에 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
11 11
제9항에 있어서, 상기 터너리 내용 주소화 메모리는 제1 저장 셀 및 제2 저장 셀을 포함하고, 상기 제1 저장 셀의 제2 비교 스위칭 소자의 출력 전극은 상기 제2 저장 셀의 제2 비교 스위칭 소자의 제어 전극 및 제3 비교 스위칭 소자의 제어 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
12 12
제8항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터이고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 P형 트랜지스터이며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 N형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 비교 스위칭 소자는 상기 제1 저장부 및 상기 제2 저장부의 상기 출력 단자에 연결되는 제어 전극, 상기 제3 비교 스위칭 소자의 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 접지에 연결되는 출력 전극을 포함하고, 상기 제2 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 전원 전압이 인가되는 입력 전극 및 상기 제3 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며, 상기 제3 비교 스위칭 소자는 상기 입력 매칭 신호가 인가되는 제어 전극, 상기 제2 비교 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 입력 전극 및 상기 제1 비교 스위칭 소자의 입력 전극에 상기 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
14 14
제12항에 있어서, 상기 터너리 내용 주소화 메모리는 제1 저장 셀 및 제2 저장 셀을 포함하고, 상기 제1 저장 셀의 제2 비교 스위칭 소자의 출력 전극은 상기 제2 저장 셀의 제2 비교 스위칭 소자의 제어 전극 및 제3 비교 스위칭 소자의 제어 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
15 15
제7항에 있어서, 상기 제1 저장부는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자를 포함하고,상기 제1 스위칭 소자는 워드 라인에 연결되는 제어 전극;제1 비트 라인에 연결되는 입력 전극; 및상기 제2 스위칭 소자의 제어 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며,상기 제2 스위칭 소자는 상기 제1 스위칭 소장의 상기 출력 전극에 연결되는 제어 전극;제1 비교 라인 및 제2 비교 라인 중 어느 하나에 연결되는 입력 전극; 및상기 제1 저장부의 출력 단자에 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 저장부는 제3 스위칭 소자 및 제4 스위칭 소자를 포함하고,상기 제3 스위칭 소자는 상기 워드 라인에 연결되는 제어 전극;제2 비트 라인에 연결되는 입력 전극; 및상기 제4 스위칭 소자의 제어 전극에 연결되는 출력 전극을 포함하며,상기 제4 스위칭 소자는 상기 제3 스위칭 소장의 상기 출력 전극에 연결되는 제어 전극;상기 제1 비교 라인 및 상기 제2 비교 라인 중 어느 하나에 연결되는 입력 전극; 및상기 제2 저장부의 출력 단자에 연결되는 출력 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
17 17
제16항에 있어서, 상기 제2 스위칭 소자의 상기 출력 전극은 상기 제4 스위칭 소자의 상기 출력 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 터너리 내용 주소화 메모리
지정국 정보가 없습니다
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