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양자점 발광소자에 있어서,양극;상기 양극 상에 형성된 제1 전하 생성 접합층;상기 제1 전하 생성 접합층 상에 형성된 제1 양자점 발광층;상기 제1 양자점 발광층 상에 형성된 제1 정공 수송층;상기 제1 정공 수송층 상에 형성된 제2 전하 생성 접합층;상기 제2 전하 생성 접합층 상에 형성된 제2 양자점 발광층;상기 제2 양자점 발광층 상에 형성된 제2 정공 수송층;상기 제2 정공 수송층 상에 형성된 제3 전하 생성 접합층; 및상기 제3 전하 생성 접합층 상에 형성된 음극을 포함하고,상기 제1 전하 생성 접합층 내지 상기 제3 전하 생성 접합층은 p형 반도체층 및 n형 반도체층이 순차적으로 형성된 레이어-바이-레이어 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전하 생성 접합층 내지 상기 제3 전하 생성 접합층은,용액 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p형 반도체층은,PEDOT:PSS 또는 첨가물이 혼합된 PEDOT:PSS 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제3항에 있어서,상기 첨가물은,그라핀 옥사이드(graphene oxide, GO), 탄소나노튜브 (carbon nanotube, CNT), 바나듐 옥사이드 (vanadium oxide, V2O5), 텅스텐 옥사이드 (tungsten oxide, WOx), 폴리옥시에틸렌 트리데실 에테르(polyoxyethylene tridecyl ether, PTE) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제3항에 있어서,상기 첨가물은,상기 PEDOT:PSS 내에 1 부피% 내지 50 부피%로 포함되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p형 반도체층은,산화니켈(NiO) 또는 제1 도펀트로 도핑된 산화니켈(NiO) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제6항에 있어서,상기 제1 도펀트는,Sn(주석), 구리(Cu), 리튬(Li) 및 아연(Zn) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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8
제6항에 있어서,상기 제1 도펀트는,상기 산화니켈(NiO) 내에 0
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제1항에 있어서,상기 p형 반도체층은,산화구리(CuO) 또는 제2 도펀트가 도핑된 산화구리(CuO) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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10
제9항에 있어서,상기 제2 도펀트는,니켈(Ni), 구리(Cu), 리튬(Li) 및 아연(Zn) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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11
제9항에 있어서,상기 제2 도펀트는,상기 산화구리(CuO) 내에 0
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제1항에 있어서,상기 n형 반도체층은,산화아연(ZnO) 또는 제3 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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13
제12항에 있어서,상기 제3 도펀트는,세슘(Cs), 리튬(Li), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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14
제12항에 있어서,상기 제3 도펀트는,상기 산화아연(ZnO) 내에 0
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삭제
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삭제
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양자점 발광소자에 있어서,양극;상기 양극 상에 형성되는 제1 전하 생성 접합층;상기 제1 전하 생성 접합층 상에 형성되는 발광 유닛; 및상기 발광 유닛 상에 형성되는 형성되는 음극;을 포함하고,상기 발광 유닛은 양자점 발광층, 정공 수송층 및 제2 전하 생성 접합층을 순차적으로 포함하고,상기 제1 전하 생성 접합층 및 상기 제2 전하 생성 접합층을 2개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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제17항에 있어서,상기 제1 전하 생성 접합층 및 상기 제2 전하 생성 접합층은,용액 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자
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양자점 발광소자 제조 방법에 있어서,양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 제1 전하 생성 접합층을 형성하는 단계;상기 제1 전하 생성 접합층 상에 제1 양자점 발광층을 형성하는 단계;상기 제1 양자점 발광층 상에 제1 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 제1 정공 수송층 상에 제2 전하 생성 접합층을 형성하는 단계;상기 제2 전하 생성 접합층 상에 제2 양자점 발광층을 형성하는 단계;상기 제2 양자점 발광층 상에 제2 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 제2 정공 수송층 상에 제3 전하 생성 접합층을 형성하는 단계; 및상기 제3 전하 생성 접합층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 전하 생성 접합층 내지 상기 제3 전하 생성 접합층은 p형 반도체층 및 n형 반도체층이 순차적으로 형성된 레이어-바이-레이어 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자 제조 방법
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