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제1 불순물 타입의 기판;상기 제1 불순물 타입의 기판 상에 형성된 제1 불순물 타입의 제1 영역과, 상기 제1 영역과 구분되는 제2 불순물 타입의 제2 영역을 포함하는 적어도 하나 이상의 광전변환부;상기 제1 영역 상에 형성되고, 상기 광전변환부 상단에 배치되는 제1 전극;상기 제2 영역 상에 형성되고, 상기 광전변환부 상단에 배치되는 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 형성되는 신틸레이터(scintillator)를 포함하고,상기 광전변환부는 수평 구조의 포토다이오드로 형성되어 전류이동 경로를 상기 제1 불순물 타입의 기판에서 수평으로 흐르도록 유도하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물 타입의 기판은실리콘카바이드(SiC)로 구성되고, 상기 제1 불순물 타입은 n-type 및 상기 제2 불순물 타입은 p-type 인 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제2 영역은상기 제1 영역 내에 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 동일 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제2 영역은 B, Al 및 Ga로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물 타입의 기판은상기 제1 불순물 타입의 제1 영역 및 상기 제2 불순물 타입의 제2 영역 사이에 I-type 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 비아 통해 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 연결되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 알루미늄, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은, 금, 백금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 방사선 디텍터는 FPC(flexible printed circuit)를 이용하여 외부 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 방사선 디텍터는 유연 소자인 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1 불순물 타입의 기판을 준비하는 단계;상기 제1 불순물 타입의 기판 상에 제1 불순물 타입의 제1 영역과, 상기 제1 영역과 구분되는 제2 불순물 타입의 제2 영역을 포함하는 적어도 하나 이상의 광전변환부를 형성하는 단계;상기 광전변환부 상단의 상기 제1 영역 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 광전변환부 상단의 상기 제2 영역 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 신틸레이터(scintillator)를 형성하는 단계를 포함하고,상기 광전변환부는 수평 구조의 포토다이오드로 형성되어 전류이동 경로를 상기 제1 불순물 타입의 기판에서 수평으로 흐르도록 유도하는 방사선 디텍터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2 영역은상기 제1 영역 내에 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 동일 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2 영역은 이온 주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제1 전극을 연결하는 제1 비아를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2 영역과 상기 제2 전극을 연결하는 제2 비아를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터 제조 방법
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