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실리콘카바이드(SiC; Silicon Carbide) 기판;상기 실리콘카바이드 기판 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측에 배치되고, 상기 실리콘카바이드 기판 내에 서로 이격되도록 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 연결되는 워드 라인(Word Line);상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 드레인 영역과 연결되는 비트 라인(Bit Line) 및상기 층간 절연막 상에 배치되는 신틸레이터를 포함하고,고준위 방사선에 의해 상기 실리콘카바이드 기판이 파괴되어, 상기 고준위 방사선을 검출하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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실리콘카바이드(SiC; Silicon Carbide) 기판;상기 실리콘카바이드 기판 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측에 배치되고, 상기 실리콘카바이드 기판 내에 서로 이격되도록 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 연결되는 워드 라인(Word Line);상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 드레인 영역과 연결되는 비트 라인(Bit Line) 및상기 층간 절연막 상에 배치되는 신틸레이터를 포함하고,저준위 방사선에 의해 상기 게이트 절연막의 유전율이 변화되어, 상기 저준위 방사선을 검출하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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실리콘카바이드(SiC; Silicon Carbide) 기판;상기 실리콘카바이드 기판 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측에 배치되고, 상기 실리콘카바이드 기판 내에 서로 이격되도록 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 연결되는 워드 라인(Word Line);상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 드레인 영역과 연결되는 비트 라인(Bit Line) 및상기 층간 절연막 상에 배치되는 신틸레이터를 포함하고,저준위 방사선에 의해 상기 드레인 영역의 전자-정공 쌍(EHP; electron hole pair)이 변화되어, 상기 저준위 방사선을 검출하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간 절연막 상에 상기 소스 영역과 연결되는 바이어스 라인(Bias Line)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 연결되는 모든 배선은 상기 실리콘카바이드 기판 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간 절연막 내에는 적어도 하나 이상의 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극은 비정질 실리콘(amorphous Si), 다결정 실리콘(poly crystalline Si), 단결정 실리콘(single crystalline Si) 및 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선 디텍터는 적어도 하나의 FPC(flexible printed circuit)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선 디텍터는 FPC(flexible printed circuit)를 이용하여 외부 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선 디텍터는 유연 소자인 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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