| 1 |
1
반도체 소자의 기판의 하면에 형성되고, 제1 굴절률층 및 제2 굴절률층을 단위 주기로 하여 적층 주기를 갖는 유전체 거울 구조물; 및상기 유전체 거울 구조물의 하면에 형성되는 제1 절연층을 포함하고,상기 유전체 거울 구조물은상기 적층 주기의 제1 주기로서, 단위 주기의 상기 제1 굴절률층이 제2 굴절률층보다 상대적으로 큰 두께를 갖는 이중층; 및상기 이중층의 하부 적층 방향으로 형성되고, 상기 단위 주기의 제1 굴절률층 및 제2 굴절률층의 두께가 상기 하부 적층 방향으로 단위 두께씩 점진적(Gradually)으로 변화하는 적어도 하나 이상의 적층 주기를 갖는 다중층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 다중층의 단위 주기의 제2 굴절률층은 상기 이중층의 제2 굴절률층으로부터 상기 하부 적층 방향으로 상기 단위 두께씩 점진적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 이중층의 제1 굴절률층의 두께는 상기 다중층의 제1 굴절률층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 이중층의 제1 굴절률층은 (2m+1)λ/4n1의 두께를 가지고, 상기 이중층의 제2 굴절률층은 λ/4n2의 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1 은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n2 는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작으며, 상기 m은 자연수인 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 다중층의 첫번째 제1 굴절률층은 λ/4n1에서 상기 단위두께만큼 변화된 두께를 가지고, 상기 다중층의 첫번째 제2 굴절률층은 λ/4n2의 두께에서 상기 단위두께만큼 변화된 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n2는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작은 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 6 |
6
제4항에 있어서, 상기 다중층의 첫번째 제1 굴절률층은 λ/4n1의 두께를 가지고, 상기 다중층의 첫번째 제2 굴절률층은 λ/4n2의 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n2는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작은 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 이중층의 제1 굴절률층은 (λ/4n1)cosθ*(2m+1)의 두께를 가지고, 상기 제2 굴절률층은 (λ/4n2)cosθ의 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n2는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작으며, θ는 입사각이고, 상기 θ는 0≤θ≤20이며, 상기 m은 자연수인 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 다중층의 첫번째 제1 굴절률층은 (λ/4n1)cosθ에서 상기 단위두께만큼 변화된 두께를 가지고, 상기 다중층의 첫번째 제2 굴절률층은 (λ/4n2)cosθ의 두께에서 상기 단위두께만큼 변화된 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n2는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작으며, θ는 입사각이고, 상기 θ는 0≤θ≤20인 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 다중층의 첫번째 제1 굴절률층은 (λ/4n1)cosθ의 두께를 가지고, 상기 다중층의 첫번째 제2 굴절률층은 (λ/4n2)cosθ의 두께를 가지며,상기 λ는 상기 기판에 도달하는 광의 공기 매질에서의 중심 파장이고, 상기 n1은 상기 제1 굴절률층의 굴절률이며, 상기 n2는 상기 제2 굴절률층의 굴절률이고, 상기 n1 은 상기 n2 보다 작으며, θ는 입사각이고, 상기 θ는 0≤θ≤20인 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 이중층의 제1 굴절률층의 굴절률은 상기 기판의 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 단위 두께는 0
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 제1 굴절률층 및 상기 제2 굴절률층은 산소(O), 질소(N), 불소(F) 를 포함하는 세라믹(ceramic) 중 적어도 어느 하나를 포함 하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1항에 있어서, 상기 제1 절연층은 실리콘 젤, 폴리이미드(polyimide; PI), 벤조사이클로부텐인(benzocyclobutene) 및 퍼플루오로시클로부탄(perfluorocyclobutane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 15 |
15
반도체 소자의 기판의 하면에 형성되고, 제1 굴절률층 및 제2 굴절률층을 단위 주기로 하여 적층 주기를 갖는 유전체 거울 구조물;상기 유전체 거울 구조물의 하면에 형성되는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층의 하면에 형성되는 금속 거울을 포함하고,상기 유전체 거울 구조물은상기 적층 주기의 제1 주기로서, 단위 주기의 상기 제1 굴절률층이 제2 굴절률층보다 상대적으로 큰 두께를 갖는 이중층; 및상기 이중층의 하부 적층 방향으로 형성되고, 상기 단위 주기의 제1 굴절률층 및 상기 제2 굴절률층의 두께가 상기 하부 적층 방향으로 단위 두께씩 점진적(Gradually)으로 변화하는 적어도 하나 이상의 적층 주기를 갖는 다중층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 제1 절연층은 10㎛ 이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 금속 거울 사이에 상기 제1 절연층보다 굴절률이 작고, 상기 금속 거울에 의한 광손실을 최소화하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 금속 거울은 은(Ag), 알루미늄(Al), 인듐(In), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 게르마늄(Ge), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 Ag 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향 유전체 거울
|
