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제1 실리콘 층;상기 제1 실리콘 층 상의 산화층;상기 산화층 상의 제2 실리콘 층; 및제2 실리콘 층 상에 마련된 메타물질로 이루어진 전극층을 포함하는,테라헤르츠 변조기
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제1항에 있어서,상기 제1 실리콘 층의 두께는 상기 제2 실리콘 층의 두께의 250배인 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제1항에 있어서,상기 산화층과 상기 제2 실리콘 층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제1항에 있어서,상기 전극층은 제1 전극층 및 상기 제1 전극층과 절연된 제2 전극층을 포함하며,상기 제1 전극층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 금(Au)를 포함하고,상기 제2 전극층은 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 금(Au)을 포함하는,테라헤르츠 변조기
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제4항에 있어서,상기 전극층은 제1 전극층과 제2 전극층 사이에 마련된 질화규소막을 더 포함하는,테라헤르츠 변조기
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제4항에 있어서,상기 제1 전극층은 p타입의 오믹금속으로 이루어지며, 긴 막대 형태를 갖는 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제4항에 있어서,상기 제2 전극층은 각각 슬롯을 가지는 복수의 단위 셀들의 어레이 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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8
제7항에 있어서,상기 단위 셀과 상기 슬롯은 직사각형 형태이며, 상기 슬롯은 상기 단위셀의 가로 방향으로 연장되며, 상기 단위셀의 중앙에 위치하는,테라헤르츠 변조기
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제8항에 있어서,상기 단위셀의 세로 길이는 상기 슬롯의 세로 길이의 10배 내지 11배인 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제8항에 있어서,상기 단위셀의 가로 길이는 상기 슬롯의 가로 길이의 1
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제1항에 있어서,상기 제2 실리콘 층의 두께는 전극층의 두께의 5배 내지 8배인 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제1항에 있어서,상기 제1 실리콘 층의 정공 농도는 1013*1/㎤이며, 상기 제2 실리콘 층의 정공 농도는 2
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제1항에 있어서,상기 테라헤르츠 변조기는 상기 전극층에 인가하는 전압에 따라 투과도가 변화하는 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기
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제1항의 테라헤르츠 변조기를 제조하는 제조방법으로서,상기 제1 실리콘 층 상에 산화층을 형성하는 단계;상기 산화층 상에 제2 실리콘 층을 형성하는 단계;상기 형성된 제1 실리콘 층, 산화층 및 제2 실리콘 층을 황산과 과산화수소의 혼합액에서 클리닝하는 단계;상기 클리닝 이후, 불산에서 습식식각하는 단계; 및상기 습식식각 이후, 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 전극층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 금(Au)을 포함하며, p타입 오믹 금속 조합인 것을 특징으로 하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 전극층 형성이후, RTA(Rapid Thermal Annealing)에서 가열하는 단계를 더 포함하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 가열 이후, 상기 제2 실리콘 층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 가열 이후, PECVD 장비에서 상기 제1 전극층 및 상기 제2 실리콘 층 상에 질화규소막을 증착하는 단계를 더 포함하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 증착 이후, 상기 질화규소막 상에 슬롯 형태의 제2 전극층을 증착하는 단계를 더 포함하는,테라헤르츠 변조기의 제조 방법
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