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기판, 이를 제조하는 방법 및 이를 이용하는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2019025095
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화갈륨 기판, 이를 제조하는 방법 및 제조된 질화갈륨 기판을 이용한 양면 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨 기판은 Ga-polar면을 가지는 제1 면과 N-polar면을 가지는 제2 면을 가진다. 제2 면 상에는 semi-polar로 형성된 돌출부를 가진다. 제1 면 상으로 발광체가 형성될 수 있으며, 돌출부의 표면을 통해 별도의 발광체가 형성될 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020160005355 (2016.01.15)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1647303-0000 (2016.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0090640 (2015.06.25)
관련 출원번호 1020150090640
심사청구여부/일자 Y (2016.01.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동선 대한민국 광주광역시 북구
2 공득조 대한민국 광주광역시 첨단과기로 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0047392-62
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0188357-38
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0450822-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0450834-94
5 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0551310-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨 재질을 가지고, Ga-polar 면으로 구성된 제1 면, 상기 제1 면과 대향하고 N-polar 면으로 구성된 제2 면, 및 상기 제2 면 상에 형성되고 semi-polar면을 가지는 돌출부를 포함하는 질화갈륨 기판;상기 질화갈륨 기판의 제1 면 상에 형성되고, 상기 Ga-polar 면의 결정구조에 따라 성장된 제1 발광체; 및상기 질화갈륨 기판의 상기 돌출부 상에 형성되고, 상기 질화갈륨 기판을 중심으로 상기 제1 발광체와 대향하며, 상기 semi-polar 면의 결정구조를 따라 성장된 제2 발광체를 포함하는 양면 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 기판은 상기 semi-polar면을 통해 갈륨 원자 및 질소 원자가 표면 상에 나타나는 것을 특징으로 하는 양면 발광 다이오드
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 기판의 상기 돌출부들은 상호간에 이격 거리가 일정한 것을 특징으로 하는 양면 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 발광체는 제1 컬러의 광을 형성하고, 상기 제2 발광체는 상기 제1 컬러와 상이한 제2 컬러의 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 발광 다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 발광체 및 상기 제2 발광체는 동일 컬러의 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 발광 다이오드
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1 CN106299065 CN 중국 FAMILY
2 KR101636702 KR 대한민국 FAMILY
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1 CN106299065 CN 중국 DOCDBFAMILY
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