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기판;상기 기판의 표면으로부터 함몰되고, 기판의 저면과 측면을 노출하는 활성 영역;상기 활성 영역의 제1 방향 측벽을 제외한, 상기 기판의 돌출부 상부, 활성 영역의 저면 및 나머지 측벽에 형성된 절연물층;일부 노출된 상기 활성 영역의 측면을 근거로 기판과 평행한 제1 방향으로 성장된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 가지는 발광 구조체;상기 n형 반도체층 상에 형성된 음극; 및상기 p형 반도체층 상에 형성된 양극을 포함하는 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Al2O3, GaN 또는 AlN을 포함하는 것을 특징으로 한 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판의 저면과 상기 기판의 측면은 서로 다른 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 발광 구조체는 상기 활성 영역 내에 형성된 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제4항에 있어서, 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층은 c축 방향의 결정 성장이 주도적인 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 음극와 상기 양극은 동일 평면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판의 저면과 상기 절연물층 사이에는 반사 금속층이 더 포함된 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제7항에 있어서, 상기 반사 금속층은 상기 활성층에서 형성된 자외선을 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 배출하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 자외선 발광 다이오드는상기 발광 구조체, 상기 음극 및 상기 양극 상에 형성된 층간 절연막; 및상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 활성층에 대응하는 위치에 형성된 반사 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제9항에 있어서, 상기 자외선 발광 다이오드는상기 층간 절연막을 관통하고, 상기 음극에 전기적으로 연결되는 제1 비아 컨택; 및상기 층간 절연막을 관통하고, 상기 양극에 전기적으로 연결되는 제2 비아 컨택을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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기판의 표면으로부터 함몰되어 정의된 활성 영역;상기 활성 영역 내의 제1 방향 측벽을 제외한, 상기 기판의 돌출부 상부, 활성 영역의 저면 및 나머지 측벽에 형성된 절연물층:상기 활성 영역 내의 제1방향 측벽을 근거로 제1 방향을 따라 형성되고, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 가지고, 자외선을 형성하는 발광 구조체;상기 발광 구조체의 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 음극; 및상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결된 양극을 포함하고,상기 자외선은 상기 발광 구조체의 형성 방향인 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 배출되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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제11항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 전자와 상기 p형 반도체층의 정공은 상기 기판의 표면과 평행하게 이동하여 상기 활성층에 공급되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
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기판에 대한 선택적 식각을 통해 기판의 표면으로부터 함몰된 활성 영역을 형성하는 단계;상기 활성 영역 내의 제1 방향 측벽을 노출하고, 상기 기판의 돌출부 상부, 상기 활성 영역의 저면 및 상기 활성 영역의 나머지 측벽을 차폐하는 절연물층을 형성하는 단계;상기 노출된 활성 영역을 근거로 상기 절연물층을 성장의 종점으로 하여 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 가지는 발광 구조체를 상기 기판의 표면과 평행하는 제1 방향으로 형성하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상의 음극 및 상기 p형 반도체층 상의 양극을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 활성 영역을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성 영역의 저면 상에 반사 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 절연물층은 상기 반사 금속층을 차폐하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 단계 이후에, 상기 기판에 대한 평탄화 공정을 수행하여 상기 기판의 돌출부 상부에 형성된 상기 절연물층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 음극과 상기 양극을 형성하는 단계 이후에,상기 음극과 상기 양극 및 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 노출된 상기 발광 구조체 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 층간 절연막 상에 반사 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 반사 금속층은 상기 활성층과 제2 방향으로 대응하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 층간 절연막을 형성하는 단계 이후에,상기 층간 절연막을 관통하는 비아컨택을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 활성 영역을 형성하는 단계는,성장용 기판 상에 상기 기판으로 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 화합물 반도체층에 대한 선택적 식각을 통해 상기 화합물 반도체 표면으로부터 함몰된 상기 활성 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조방법
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