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발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019025123
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치 및 그 제조방법이 개시된다. 기판 상에 함몰된 형태의 영역들이 형성되고, 기판의 평면과 수평한 방향으로 발광 구조체들은 수평 성장된다. 이를 통해 기판의 표면으로부터 함몰된 영역에 각각의 화소들은 형성될 수 있다. 또한, 기판과 발광 구조체 사이에는 파장 변환을 위한 양자점이 도입되어 다양한 컬러를 구현한다.
Int. CL H05B 33/12 (2006.01.01) H05B 33/10 (2006.01.01) H05B 33/22 (2006.01.01) H01L 33/60 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/58 (2010.01.01)
CPC H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01) H05B 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160106826 (2016.08.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1817799-0000 (2018.01.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.23)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동선 대한민국 광주광역시 북구
2 공득조 대한민국 광주광역시 첨단과기로 ***
3 이준엽 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0818053-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0049584-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0246360-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0533492-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0533491-30
7 등록결정서
Decision to grant
2017.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0700462-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 정의하며, 상기 기판과 수평한 방향으로 극성면이 형성된 돌출부;상기 돌출부를 매립하며, 각각 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역 상에 형성되고, 상기 돌출부의 상기 극성면인 측벽으로부터 상기 기판과 평행한 방향으로 성장된 발광 구조체를 가지는 화소들;상기 화소들 및 돌출부 상에 형성된 층간 절연막; 및상기 층간 절연막 상에 형성된 반사막을 포함하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 화소들은상기 제1 영역을 충진하며 형성되고, 제1 광을 형성하는 제1 화소;상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 충진하며 형성되고, 제2 광을 형성하는 제2 화소; 및상기 제2 영역에 인접한 제3 영역을 충진하며 형성되고, 상기 제2 광의 파장이 변환된 제3 광을 형성하는 제3 화소를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 화소는상기 제1 영역의 노출된 기판 상에 형성된 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 결정성장된 제1 발광 구조체;상기 제1 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제1 음극; 및상기 제1 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제1 음극과 대향하는 제1 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 발광 구조체는,상기 기판과 평행하게 순차적으로 성장된 제1 n형 반도체층, 제1 활성층 및 제1 p형 반도체층을 포함하고,상기 제1 음극은 상기 제1 n형 반도체층 상에 형성되고, 상기 제1 양극은 상기 제1 p형 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
6 6
제3항에 있어서, 상기 제2 화소는상기 제2 영역의 노출된 기판 상에 형성된 제2 절연층;상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 결정성장된 제2 발광 구조체;상기 제2 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제2 음극; 및상기 제2 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제2 음극과 대향하는 제2 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 발광 구조체는,상기 기판과 평행하게 순차적으로 성장된 제2 n형 반도체층, 제2 활성층 및 제2 p형 반도체층을 포함하고,상기 제2 음극은 상기 제2 n형 반도체층 상에 형성되고, 상기 제2 양극은 상기 제2 p형 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
8 8
제3항에 있어서, 상기 제3 화소는상기 제3 영역의 노출된 기판 상에 형성된 파장 변환층;상기 파장 변환층 상에 형성된 제3 절연층;상기 제3 절연층 상에 형성되고, 상기 제3 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 결정성장된 제3 발광 구조체;상기 제3 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제3 음극; 및상기 제3 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제3 음극과 대향하는 제3 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 파장 변환층은 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 파장 변환층은 상기 제3 발광 구조체에서 형성된 상기 제2 광의 파장을 변환하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
11 11
기판 상에 형성되고, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 정의하며, 상기 기판과 수평한 방향으로 극성면이 형성된 돌출부;상기 돌출부에 의해 정의된 상기 제1 영역에 형성되고, 제1 광을 형성하는 제1 화소;상기 돌출부에 의해 정의된 상기 제2 영역에 형성되고, 제1 광의 파장을 변환하는 제2 화소;상기 돌출부에 의해 정의된 상기 제3 영역에 형성되고, 제1 광의 파장을 변환하는 제3 화소;상기 화소들 및 돌출부 상에 형성된 층간 절연막; 및상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 상기 돌출부의 상기 극성면인 측벽으로부터 상기 기판과 평행한 방향으로 성장된 발광 구조체들을 각각 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 화소는,상기 제1 영역의 노출된 기판 상에 형성된 제1 절연층;상기 기판에 수직한 제1 방향으로 상기 제1 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 결정성장된 제1 발광 구조체; 상기 제1 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제1 음극; 및상기 제1 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제1 음극과 대향하는 제1 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
13 13
제11항에 있어서, 상기 제2 화소는,상기 제2 영역의 노출된 기판 상에 형성된 제1 파장 변환층;상기 제1 파장 변환층 상에 형성된 제2 절연층;상기 기판에 수직한 제1 방향으로 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 결정성장된 제2 발광 구조체;상기 제2 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제2 음극; 및상기 제2 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제2 음극과 대향하는 제2 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1 파장 변환층은 양자점을 포함하고, 상기 제2 발광 구조체에서 형성된 상기 제1 광을 변환하여 장파장의 제2 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
15 15
제11항에 있어서, 상기 제3 화소는,상기 제3 영역의 노출된 기판 상에 형성된 제2 파장 변환층;상기 제2 파장 변환층 상에 형성된 제3 절연층;상기 기판에 수직한 제1 방향으로 상기 제3 절연층 상에 형성되고, 상기 제3 영역을 정의하는 돌출부의 측벽을 근거로 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 결정성장된 제3 발광 구조체;상기 제3 발광 구조체에 전기적으로 연결된 제3 음극; 및상기 제3 발광 구조체에 전기적으로 연결되고, 제3 음극과 대향하는 제3 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 파장 변환층은 양자점을 포함하고, 상기 제3 발광 구조체에서 형성된 상기 제1 광을 변환하여 장파장의 제3 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치
17 17
기판 상에 측면이 극성면인 C 평면인 돌출부를 형성하여 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 정의하는 단계;상기 제3 영역에 노출된 상기 기판 상에 파장 변환층을 형성하고, 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 영역을 정의하는 상기 돌출부의 측면에 형성된 상기 절연층의 일부를 식각하여 상기 돌출부의 측면을 노출시키는 단계;상기 노출된 돌출부의 측면을 근거로 측면 결정성장을 통해 상기 제1 영역을 매립하는 제1 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 발광 구조체의 성장을 차폐한 다음, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역을 정의하는 상기 돌출부의 측면을 개방하는 단계; 및상기 제2 영역 및 상기 제3 영역의 개방된 돌출부를 근거로 한 결정성장을 통해 제2 영역을 충진하는 제2 발광 구조체를 형성하고, 상기 제2 영역을 충진하는 제3 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 제2 발광 구조체와 상기 제3 발광 구조체는 동일 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치의 제조방법
19 19
기판 상에 측면이 극성면인 C 평면인 돌출부를 형성하여 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 정의하는 단계;상기 제2 영역에 노출된 상기 기판 상에 제1 파장 변환층을 형성하고, 상기 제3 영역에 노출된 상기 기판 상에 제2 파장 변환층을 형성하는 단계;상기 제1 파장 변환층, 상기 제2 파장 변환층 및 상기 제1 영역 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역을 정의하는 상기 돌출부의 측면에 형성된 상기 절연층의 일부를 식각하여 상기 돌출부의 측면을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 돌출부의 측면을 근거로 측면 결정성장을 통해 상기 제1 영역을 매립하는 제1 발광 구조체, 상기 제2 영역을 매립하는 제2 발광 구조체 및 상기 제3 영역을 매립하는 제3 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 제1 발광 구조체, 상기 제2 발광 구조체 및 상기 제3 발광 구조체는 동일 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이 장치의 제조방법
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