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트랜지스터의 모델링 방법

  • 기술번호 : KST2019025132
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 형상을 가지는 다중 게이트 트랜지스터를 평면형 트랜지스터로 변환하기 위한 트랜지스터의 모델링 방법이 개시된다. 모델링을 위해 경계 조건이 설정되는 바, 이는 반도체층과 절연층의 계면에 p좌표의 도입을 통해서 수행되며, p좌표로부터 반도체층의 특정 지점에 대한 가중치 함수 ψ의 도입을 통해 수행된다. 또한, 가중치 함수의 도출에 의한 가우스 법칙의 적용을 통해 평면 트랜지스터로 용이하게 모델링된다.
Int. CL G06F 17/50 (2006.01.01)
CPC G06F 30/20(2013.01)
출원번호/일자 1020170011066 (2017.01.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1880388-0000 (2018.07.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성민 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0084174-62
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0086780-67
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0037200-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0041665-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0240650-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0240649-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0467939-92
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번호 청구항
1 1
다중 게이트 트랜지스터를 평면형 트랜지스터로 변환하는 모델링 방법에 있어서,반도체층과 절연막 사이의 계면을 따라 p좌표를 설정하는 단계;설정된 상기 p좌표의 함수로 가중치 함수 ψ를 도입하는 단계; 및상기 반도체층에 대한 가우스 법칙의 적용을 통해 평면 트랜지스터로 변환하는 단계를 포함하고,상기 가중치 함수 ψ는 특정의 p좌표에서 상기 반도체층의 미소 면적에 대한 지배력을 나타내며,상기 가중치 함수 ψ는 상기 p좌표에 설정된 N개의 점에 대해 하기의 수학식 2로 설정되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 모델링 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 p좌표는 일정한 간격을 두고 이산적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 모델링 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 가우스 법칙의 적용을 통해 상기 평면 트랜지스터로 변환하는 단계는 하기의 수학식 4에 의한 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 모델링 방법
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제5항에 있어서, 상기 수학식 4에서 변환 전의 상기 다중 게이트 트랜지스터의 미소 면적 da는 변환 후의 상기 평면 트랜지스터에서는 미소 면적 ψida로 변환되고, 미소 체적 dv는 변환 후의 상기 평면 트랜지스터에서의 미소 체적 ψidv로 변환되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 모델링 방법
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 미래창조과학부 광주과학기술원 첨단 사이언스 교육 허브 개발 사업(EDISON) 계산물리 분야 교육 연구를 위한 나노 기반 시뮬레이션 코드 개발 및 활용 연구