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성장 기판 상에 발광체를 형성하고 발광체를 식각하여 개별화하는 단계;상기 개별화된 발광체를 이송하기 위해 수용 기판 상에 복수개의 전극층들을 형성하는 단계;상기 복수개의 전극층들을 선택적으로 식각하여 돌출부가 구비된 전극층들로 개별화하는 단계;상기 성장 기판 상에 개별화된 발광체들을 수용 기판 상에 정렬하는 단계;상기 수용 기판 상에 정렬된 개별화된 발광체를 이탈시키기 위해 패턴 집속 자외선을 성장 기판의 배면에 조사하는 단계; 및 상기 성장 기판의 배면에 조사된 자외선에 의해 상기 수용 기판 상에 상기 개별화된 발광체가 이송되는 단계를 포함하고,상기 이송단계는 이탈된 상기 발광체가 상기 수용 기판에 이송됨과 동시에 접합되어 실장되는 단계를 포함하며 상기 수용 기판은 상기 개별화된 발광체를 수용하기 위해 선택적으로 식각된 돌출부를 가지며, 상기 돌출부는 상기 개별화된 발광체와 접합하기 위한 접합층을 포함하는 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 발광체는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고, 마이크로 사이즈로 개별화 되는 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 수용 기판 상에 선택적으로 식각된 돌출부를 포함하는 복수개의 전극층들을 형성하는 단계에서상기 복수개의 전극층들은 전도성 전극으로 구성되는 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 수용 기판 상에 상기 돌출부를 형성하기 위해 복수개의 전극층들 상에 부도체 증착층을 형성하는 것을 포함하는, 마이크로 소자 이송방법
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제 4항에 있어서, 상기 수용 기판 상에 상기 부도체 증착층은 Al, Ti 또는 Zr로 이루어진 군에서 하나일 수 있으며, 이들을 포함하는 산화물, 질화물 또는 황화물로 구성되는 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 돌출부를 형성하기 위해 Ni, Pd, Rh, Ti, Cr, Al, Ag, Au, Ge, Si, In, Ga, Sb, W, Mo, Pt, Co, Sn 또는 Ta로 이루어진 식각마스크를 이용하여 식각하는 것인, 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 일부 식각된 돌출부를 포함하고 일부 식각된 돌출부 상에 전극층이 구비되는 것을 포함하는 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 복수개의 전극층들을 개별화하는 단계에서상기 복수개의 전극층들은 마이크로 사이즈로 개별화 되어 제3 전극층, 제4 전극층, 제5 전극층 및 접합층들을 포함하는 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 8항에 있어서, 상기 접합층은 낮은 저융점을 가진 순금속 또는 합금 재료 기반의 솔더재료를 포함하는 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 9항에 있어서, 상기 솔더재료는 2원계 Sn-Pb 유연 솔더 또는 2원계 In-Sn 유연 솔더인 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 수용 기판 상에 정렬된 개별화된 발광체를 이탈시키기 위해 패턴 집속 자외선을 성장 기판의 배면에 조사하는 단계에서 상기 패턴 집속 자외선은 선택적 발광체에 상응하도록 패턴화한 자외선인 것인 마이크로 소자 이송방법
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제 1항에 있어서, 상기 접합은 상기 수용 기판 상에 열을 인가하여 상기 복수개의 접합층의 일부를 용융하는 것인 마이크로 소자 이송방법
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