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리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2019025292
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이황화몰리브덴(이하 'MoS2') 타겟, 티타늄 질화물(Titanium nitride; 이하 'TiN') 타겟, 및 기재를 준비하는 단계; MoS2 타겟과 TiN 타겟을 다중 스퍼터링 장치 내부에 이격시켜 배치하는 단계; 및 비활성기체 분위기 하에서 MoS2 타겟 및 TiN 타겟에 고주파파워(R.F power)를 인가하여 기재 상에 MoS2와 TiN이 혼합된 상태의 MoS2-TiN 박막을 형성하는 단계;를 포함하는, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법을 제공한다.본 발명에 따른 방법으로 제조된 MoS2-TiN 박막전극은 TiN에 의해 MoS2의 부피변화를을 억제할 수 있어 초기 용량 대비 높은 용량 유지율을 나타낼 수 있고, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01M 4/1397 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) H01M 4/66 (2006.01.01) H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01)
CPC H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/1397(2013.01)
출원번호/일자 1020170053000 (2017.04.25)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1862510-0000 (2018.05.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경원 대한민국 서울특별시 서초구
2 문상현 대한민국 대구광역시 달서구
3 김시진 대한민국 서울특별시 노원구
4 김민철 대한민국 서울특별시 동대문구
5 이규호 대한민국 경기도 안양시 만안구
6 최희선 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0404963-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0006187-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0072008-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0272136-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0272137-27
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0339294-27
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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이황화몰리브덴(이하 'MoS2') 타겟, 티타늄 질화물(Titanium nitride; 이하 'TiN') 타겟, 및 기재를 준비하는 단계;MoS2 타겟과 TiN 타겟을 다중 스퍼터링 장치 내부에 이격시켜 배치하는 단계; 및비활성기체 분위기 하에서 MoS2 타겟 및 TiN 타겟에 고주파파워(R
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청구항 1에 있어서,상기 기재는,구리 호일(Cu foil)인 것을 특징으로 하는, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 MoS2-TiN 박막을 형성하는 단계는,비활성기체 분위기 하에서 MoS2 타겟에 80 내지 100 W(와트)의 고주파파워를 인가하는 것을 특징으로 하는, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 MoS2-TiN 박막을 형성하는 단계는,비활성기체 분위기 하에서 TiN 타겟에 20 내지 60 W(와트)의 고주파파워를 인가하는 것을 특징으로 하는, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 MoS2-TiN 박막을 형성하는 단계는,아르곤(Ar) 기체분위기 하에서 1
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청구항 1에 있어서,상기 MoS2-TiN 박막은,평균 두께가 120 내지 130 nm인 것을 특징으로 하는, 리튬이온전지의 향상된 전기화학성능을 위한 MoS2-TiN 박막전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 숭실대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업/일반연구지원사업 고신뢰성 전기화학반응을 위한 Triple-junction나노전극소재 개발