맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저중합체 유전층을 이용한 표면증강라만분석용 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019025345
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
SMK 보기 상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저중합체 유전층을 이용한 표면증강라만분석용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 기판 상에 형성된 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격을 가지는 금속 함유 박막 상에 스페이서(spacer) 역할을 하는 층으로서 저중합체 유전층을 증착하여 상기 금속 함유 박막의 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격에 대응되는 표면 형태로 수 나노미터 수준의 두께를 갖는 저중합체 유전층을 형성시킨 다음 상기 저중합체 유전층 상에 수 내지 수십 나노미터 수준의 두께로 금속 함유 나노입자를 증착시킴으로써 면밖 핫스팟 및 면내 핫스팟이 동시에 형성될 수 있는 표면증강라만분석용 기판을 제공할 수 있다.
Int. CL G01N 21/65 (2006.01.01) H01B 3/22 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 16/06 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01)
CPC G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01)
출원번호/일자 1020160004866 (2016.01.14)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1733664-0000 (2017.04.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.14)
심사청구항수 22

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이태일 대한민국 서울특별시 동작구
2 이정오 대한민국 대전광역시 유성구
3 채수상 대한민국 서울특별시 강서구
4 김광현 대한민국 서울특별시 중랑구
5 최원진 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0043269-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0125699-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0709606-34
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1190500-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1190501-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0297409-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1단계 이전에 기판을 세척하는 제1-1단계를 추가로 포함하는 것이 특징인 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판의 재질은 종이, 고분자, 금속 또는 유리인 것이 특징인 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은 유연 기판인 것이 특징인 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 금속 함유 박막은 100 ㎚ 내지 900 ㎚의 평균 직경을 갖는 결정립 크기를 가지는 다결정 금속 박막인 것이 특징인 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 금속 함유 박막 중의 금속은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것인 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 열증발증착(thermal evaporation deposition) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것인 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2단계는 상기 금속 함유 박막 상에 폴리디메틸실록산(PDMS) 스탬프를 접촉시키고 열처리한 후 상기 스탬프를 이격시켜 저중합체 유전층으로서 분자량(Mw)이 2000 g/mol 이하인 저분자량 폴리디메틸실록산(LMW PDMS) 층을 증착시킴으로써 수행되는 것이 특징인 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리는 60 내지 100℃ 하에 30분 내지 6시간 동안 수행하는 것이 특징인 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2단계의 저중합체 유전층의 두께는 1 ㎚ 내지 3 ㎚인 것이 특징인 방법
11 11
제1항에 있어서, 제2단계에서 저중합체 유전층은 금속 함유 박막의 표면 거칠기 간격에 대응되는 표면 형태로서 요부와 철부를 갖는 것이 특징인 방법
12 12
제1항에 있어서, 금속 함유 나노입자가 저중합체 유전층 표면의 요부에 위치하는 것이 특징인 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 제3단계의 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 열증발증착(thermal evaporation deposition) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것인 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 제3단계의 금속 함유 나노입자 중의 금속은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것인 방법
15 15
기판; 상기 기판 상에 증착된 0
16 16
제15항에 있어서, 상기 기판 상에 증착된 금속 함유 박막은 100 ㎚ 내지 900 ㎚의 평균 직경을 갖는 결정립 크기를 가지는 다결정 금속 박막인 것이 특징인 표면증강라만분석용 기판
17 17
제15항에 있어서, 상기 표면증강라만분석용 기판은 상기 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것이 특징인 표면증강라만분석용 기판
18 18
제15항에 있어서, 금속 함유 나노입자가 저중합체 유전층 표면의 요부에 증착되어 상기 저중합체 유전층 표면에서 5 ㎚ 내지 30 ㎚의 간격으로 서로 이격된 형태로 배열되어 면내 핫스팟이 형성되는 것이 특징인 표면증강라만분석용 기판
19 19
제15항에 있어서, 저중합체 유전층으로 인해 형성된, 금속 함유 박막과 금속 함유 나노입자 간의 1 ㎚ 내지 3 ㎚의 간격으로 인해 면밖 핫스팟이 형성되는 것이 특징인 표면증강라만분석용 기판
20 20
광원; 제15항의 표면증강라만분석용 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 구비한 라만분광 장치
21 21
제20항에 있어서, 상기 광원은 레이저인 것이 특징인 라만분광 장치
22 22
분석물에 대해 라만분광법을 수행하는 방법에 있어서,제15항의 표면증강라만분석용 기판을 준비하는 단계;상기 기판에 분석물을 근접 또는 접촉시키는 단계;광조사하는 단계; 및분석물로부터 산란된 라만 분광을 검출하는 단계를 포함하는 것인 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017123075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017123075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 융합연구사업 NT 기반 세포신호측정계 구축