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우수한 광안정성을 가지는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019025454
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 초기 광전변환효율 및 광안정성을 가지는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 이로부터 제조된 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 상세하게, 전자전달층 상에 Sn(Ⅱ) 화합물 용액을 도포하고 열처리 하는 단계; 및 페로브스카이트층을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01)
출원번호/일자 1020170037355 (2017.03.24)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1863866-0000 (2018.05.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서장원 대한민국 서울특별시 성동구
2 이선주 대한민국 대전광역시 유성구
3 전남중 대한민국 광주광역시 북구
4 양태열 대한민국 대전광역시 유성구
5 노준홍 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0291329-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026714-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0897674-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0169165-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0169200-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0351279-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자전달층 상에 Sn(Ⅱ) 화합물 용액을 도포하고 열처리하여, Sn(Ⅱ) 화합물을 Sn(Ⅳ) 화합물로 산화하는 단계; 전자전달층 상 Sn(Ⅳ) 화합물로 산화되지 않은 Sn(Ⅱ) 화합물을 제거하여, 표면이 Sn(Ⅳ) 화합물로 코팅된 전자전달층인 표면처리된 전자전달층을 형성하는 단계; 및표면처리된 전자전달층 상 페로브스카이트층을 형성하는 단계;를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 제조방법은 상기 Sn(Ⅱ) 화합물 제거 후 및 페로브스카이트층 형성 전, 2차 열처리하는 단계를 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 Sn(Ⅱ) 화합물은 하기 화학식 1 또는 2를 만족하는 어느 하나 또는 둘 이상인, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 열처리는 50 내지 250℃에서 30분 내지 12시간 동안 수행되는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 Sn(Ⅱ) 화합물 용액의 농도는 0
8 8
제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트층은 하기 화학식 3을 만족하는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 전자전달층은 제1전극 상에 형성된 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 제조방법은 상기 페로브스카이트층 상에 정공전달층을 형성하는 단계, 및 상기 정공전달층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
11 11
제1전극, 표면 처리된 전자전달층, 페로브스카이트층, 정공전달층 및 제2전극을 포함하며,상기 페로브스카이트층은 하기 화학식 3을 만족하는 페로브스카이트 화합물을 포함하고,상기 전자전달층은 금속산화물을 포함하며, 상기 표면 처리된 전자전달층은 표면이 Sn(Ⅳ) 화합물로 코팅된 전자전달층이고, 하기 관계식 1 및 관계식 2를 만족하는 페로브스카이트 태양전지
12 12
삭제
13 13
제 11항에 있어서,상기 표면 처리된 전자전달층은 0
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 (sub)광에너지 융합소재 원천기술 개발