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폴리페닐렌계 음이온 전도체, 이의 제조방법 및 용도

  • 기술번호 : KST2019025471
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원 발명은 폴리페닐렌계 음이온 전도체, 이의 제조방법 및 용도에 대한 것이다. 보다 구체적으로는 폴리페닐렌계 음이온교환소재에 대한 것으로, 상용화된 양이온 교환소재인 Nafion115에 비해 활물질의 크로스오버(crossover)가 낮고 이에 따라 쿨롬효율이 우수하며, 구조적으로는 고분자 주쇄가 폴리페닐렌으로 이루어져 주쇄에 O-, -S-, -(CH2)n- 등의 전자주게 특성의 연결기를 포함하지 않고 벤젠고리 사이의 C-C 결합으로만 이루어져 있어 소재의 치수 안정성이 우수한 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자, 이의 제조방법 및 제조된 폴리페닐렌계 음이온 고분자를 레독스 흐름 전지(Redox Flow Battery)용 격리막에 적용한 레독스 흐름 전지에 대한 것이다.또한, 본원 발명에 따른 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자는 레독스 흐름 전지, 연료전지(fuel cell), 전기투석(electrodialysis; ED), 역전기투석(reverse electrodialysis;red), 축전식탈염(capacitive deionization; CDI) 등의 분야에서 그 활용성이 매우 높다.
Int. CL C08G 61/10 (2006.01.01) H01B 1/12 (2006.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01) H01M 8/0241 (2016.01.01) H01M 8/18 (2015.01.01)
CPC C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01) C08G 61/10(2013.01)
출원번호/일자 1020170055111 (2017.04.28)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1952920-0000 (2019.02.21)
공개번호/일자 10-2018-0121004 (2018.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20190517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍영택 대한민국 대전광역시 유성구
2 이장용 대한민국 대전광역시 동구
3 차민석 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김태호 대한민국 대전광역시 유성구
5 조상우 대한민국 충청북도 청주시 서원구
6 소순용 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0419569-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.26 수리 (Accepted) 9-1-2017-0035634-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0889772-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0170296-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0272632-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0272633-62
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0410420-95
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0715632-30
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.07.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0715633-86
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0548484-42
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1013889-14
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1013888-68
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0095407-89
17 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5013112-18
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번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
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4 4
삭제
5 5
하기 화학식 1의 친수성 단위 단량체와 하기 화학식 2의 소수성 단위 단량체의 공중합에 의하여 폴리페닐렌계 고분자를 제조하는 고분자화반응 단계;003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e#상기 화학식 1과 화학식 2에서 에서 A1과 A2는 서로 같거나 다를 수 있고, 이는 단일 결합 또는 전자끌게기로서 -(C=O)-, -P(=O)-, -CF2-, -C(CF3) 2- 및 -SO2-로부터 선택된 어느 하나이고, X는 염소(Cl), 브롬(Br) 혹은 요오드(I) 중 어느 하나이며, R1, R2, R3, R4 및 R5 은 각각 수소 원자, 플루오린 원자, 아릴기, 퍼플루오로알킬기, 분자 쇄에 하나 이상의 산소, 질소, 또는 황 원자를 포함하는 퍼플루오로아릴기, 및 분자 쇄에 하나 이상의 산소, 질소, 또는 황 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임제조된 상기 폴리페닐렌계 고분자를 브로민화 반응을 이용하여 할로겐화 폴리페닐렌계 고분자를 제조하는 할로겐화반응 단계;상기 할로겐화 폴리페닐렌계 고분자를 이온교환작용기로서 아민기, 암모늄기, 아미노기, 이민기, 술포늄기, 포스포늄기, 피리딜기, 카바졸릴기 및 이미다졸릴기에서 선택되는 음이온 교환 작용기 또는 이들의 염 상태의 음이온 교환 작용기, 베타인 및 술포베타인에서 선택되는 양쪽성 이온 교환 작용기 및 이들의 조합에서 선택되는 이온 교환기 또는 이들의 염 상태의 음이온 교환 작용기 중 어느 하나를 도입하는 이온교환 반응을 통하여 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자를 제조하는 이온교환 단계; 및상기 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자 자체를 고분자막으로 성형하거나 또는 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자를 지지체와 복합화하여 복합막으로 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 격리막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
청구항 5의 제조방법에 따라 제조되어 하기 화학식 5의 화학구조를 가지는 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자 자체를 성형한 고분자막 또는 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자를 지지체와 복합화하여 제조한 복합막인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 격리막:003c#화학식 5003e#상기 화학식 5에서 m'와 n은 양의 정수이고, m''는 0 또는 양의 정수로 0
9 9
청구항 8에 기재된 격리막과 양극, 양극 전해질, 음극 전해질 및 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지
10 10
청구항 9에 있어서,상기 전지는 바나듐계 레독스 흐름 전지, 폴리설퍼이드브로민(PSB) 레독스 흐름 전지, 또는 아연-브로민(Zn-Br) 레독스 흐름 전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지
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1 한국에너지기술평가원 한국화학연구원 에너지자원기술개발사업 (RCMS)고내구성 이온 blocking type 대면적 FB 분리막 개발