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폴리우레아, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019025574
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리우레아, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 구조식 1로 표시되는 폴리우레아에 관한 것이다. [구조식 1] 상기 구조식 1에서, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C14 아릴렌기이고, Ar2는 원자가 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C14 아릴렌기이고, R1은 원자가 결합 또는 직쇄형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬렌기이고, R2는 수소원자 또는 직쇄형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기이고, R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 직쇄형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기이고, n은 반복단위 반복수이고, 2 내지 500의 정수이고, 상기 치환에 해당하는 치환기는 직쇄형 또는 분지형 C1 내지 C5 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 대면적 저가화를 위한 용액 공정이 가능한 폴리우레아를 제공할 수 있다. 본 발명의 폴리우레아는 높은 유전율과 낮은 두께에서도 높은 절연특성을 가질 수 있다. 또한 본 발명은 저전압 구동이 가능한 박막 트랜지스터를 제공할 수 있다.
Int. CL C08G 18/76 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 23/14 (2006.01.01)
CPC C08G 18/7657(2013.01) C08G 18/7657(2013.01) C08G 18/7657(2013.01) C08G 18/7657(2013.01) C08G 18/7657(2013.01)
출원번호/일자 1020180086447 (2018.07.25)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-2057675-0000 (2019.12.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대전광역시 유성구
2 김동균 경기도 수원시 장안구
3 유성미 대전광역시 동구
4 하태욱 대전광역시 유성구
5 원종찬 대전광역시 서구
6 가재원 대전광역시 유성구
7 정유리 대구광역시 달성군 옥포면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0734487-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2019-0021371-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0446477-08
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0796012-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0796001-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0899228-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 게이트 전극 상에 유기 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 유기 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 단계 (b)가 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법 중에서 선택된 1종 이상의 용액 공정법에 의해 하기 구조식 1로 표시되는 폴리우레아를 포함하는 폴리우레아 용액을 사용하여 유기 절연층을 형성하는 단계이고,상기 유기 절연층의 두께가 50 내지 150nm이고,상기 폴리우레아는 수평균분자량이 1,200 내지 20,000인 것인 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 폴리우레아는 유전상수(dielectric constant)가 3 내지 8인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 제조방법이상기 단계 (b) 전에, (b') 하기 반응식 1에 따라, 화합물 1과 화합물 2를 비양성자성 극성용매 내에서 -20 내지 20℃에서 단계 성장 중합(step-growth polymerization) 반응시켜 화합물 3인 상기 폴리우레아를 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법: [반응식 1]상기 반응식 1에서,Ar1은 이고,R5는 C1 알킬기이고,Ar2는 원자가 결합이고,R1은 C1 알킬렌기이고,R2는 수소원자 또는 C1 알킬기이고,R3 및 R4는 수소 원자이고,n은 반복단위 반복수이고, 2 내지 500의 정수이다
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10 10
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11 11
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12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국화학연구원 글로벌프론티어지원(R＆D) 유연절연박막소재 개발
2 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 IoT 디바이스용 스마트 화학 소재 개발