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광양극과 광음극을 제조하는 단계 ;전해질 수용액으로 채워지며, 수소 이온 투과성 멤브레인을 이용하여 두 구획으로 구분된 용기의 어느 한 구획에 상기 광양극을 설치하고, 및 상기 용기의 다른 구획에 광음극을 설치하는 단계를 포함하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법으로서, 상기 광양극과 광음극은 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 광양극이 설치된 구획에는 산소 배출용 배출구가 형성되고, 상기 광음극이 설치된 구획에는 수소 배출용 배출구가 형성되고, 상기 광양극을 제조하는 단계는 다공성 전이금속 산화물 반도체 입자, 테르피네올, 에틸셀룰로스 및 라우르산을 혼합하여 페이스트를 제조하는 단계, FTO(불소 도핑된 산화주석) 유리 위에 상기 페이스트를 코팅하는 단계 및 상기 페이스트로 코팅된 FTO 유리를 400℃ 내지 500℃로 소성하는 단계를 포함하고,상기 광음극을 제조하는 단계는 P형 반도체의 일면을 백금 페이스트로 코팅하는 단계, 상기 코팅된 P형 반도체를 300℃ 내지 500℃로 소성하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 전이금속 산화물 반도체는 TiO2, WO3, Fe2O3 및 BiVO4으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 P형 반도체는 InP, GaAs, Si 및 CIGS로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 수소 이온 투과성 멤브레인은 나피온인 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전해질은 Na2SO4, NaHCO3 및 H2SO4로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 전이금속 산화물 반도체 입자의 크기는 10 nm - 30 nm이고, 비표면적은 30 m2/g - 150 m2/g인 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 백금은 10 nm 내지 1 μm 크기의 입자이며, 그 비표면적은 50 m2/g 내지 1000 m2/g인 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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광양극과 광음극을 제조하는 단계 ;전해질 수용액으로 채워지며, 수소 이온 투과성 멤브레인을 이용하여 두 구획으로 구분된 용기의 어느 한 구획에 상기 광양극을 설치하고, 및 상기 용기의 다른 구획에 상기 광음극을 설치하는 단계를 포함하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법으로서, 상기 광양극은 상기 용기의 외부에서 유기 태양전지와 전기적으로 연결되며, 상기 광음극은 상기 유기 태양전지와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 광양극이 설치된 구획에는 산소 배출용 배출구가 형성되고, 상기 광음극이 설치된 구획에는 수소 배출용 배출구가 형성되고, 상기 광양극을 제조하는 단계는 다공성 전이금속 산화물 반도체 입자, 테르피네올, 에틸셀룰로스 및 라우르산을 혼합하여 페이스트를 제조하는 단계, FTO(불소 도핑된 산화주석) 유리 위에 상기 페이스트를 코팅하는 단계 및 상기 페이스트로 코팅된 FTO 유리를 400℃ 내지 500℃로 소성하는 단계를 포함하고,상기 광음극을 제조하는 단계는 FTO(불소 도핑된 산화주석) 유리 위에 백금 페이스트를 도포하는 단계, 300℃ 내지 500℃로 소성하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 전이금속 산화물 반도체는 TiO2, WO3, Fe2O3 및 BiVO4으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수소 생산용 광전기화학적 물 분해 시스템의 제조방법
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