| 1 |
1
기판 상에 미세 패턴을 형성하기 위한 미세 패턴 형성장치에 있어서,상기 기판이 거치되며, 상기 기판을 가열하기 위한 히터가 구비되는 기판 거치대 및 상기 기판 거치대를 1 ㎛/s 내지 10 ㎛/s의 속도로 수평 이송하기 위한 이송유닛이 장착되는 기판 거치부;다수의 나노입자가 액체 상태의 유체에 혼합된 나노유체가 수용되고, 0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 격벽의 하단과 상기 기판의 상면 사이에서 형성된 하방으로 오목한 매니스커스는 한 쌍의 격벽의 하단 중 외측 모서리와 상기 기판의 상면 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노유체 수용부는 상기 기판이 이송되는 상태에서 7초(s) 내지 13초(s) 간격으로 승강 구동되어, 상기 기판의 이송방향과 수직한 방향으로 순차적으로 복수 개의 나란한 미세 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 나노유체 수용부의 승강구동은 150 밀리초 (ms) 내지 200 밀리초(ms) 동안 상승 및 하강하고, 최고 높이에서 3 밀리초(ms) 내지 7 밀리초(ms) 동안 유지되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기판 또는 한 쌍의 상기 격벽은 유리 재질인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 나노유체 수용부를 구성하는 한 쌍의 상기 격벽은 수직하고 평행하게 배치되며 각각 평판 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 나노유체는 초순수와 구형 나노입자의 혼합유체인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 나노입자의 직경은 10 나노미터(nm) 내지 500 나노미터(nm)인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 나노유체 중 상기 나노입자의 부피율은 1*10-5 내지 1*10-4인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 나노유체의 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 산화알루미늄(Al2O3), 실리카(SiO2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 17 |
17
제1항에 있어서,상기 나노유체 수용부의 승강구동시 생성되는 미세 패턴의 폭은 3 마이크로미터(㎛) 내지 30 마이크로미터(㎛)이며, 간격은 25 마이크로미터(㎛) ~ 300 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 미세 패턴을 형성하는 나노입자는 두께방향으로 단층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성장치
|
| 19 |
19
나노유체가 수용되는 한 쌍의 격벽을 포함하는 나노유체 수용부의 나노유체가 수용된 한 쌍의 상기 격벽의 하단과 기판의 상면 사이에서 하방으로 오목한 매니스커스를 형성한 상태에서 상기 기판을 20도씨 내지 60도씨 범위의 온도로 가열하며 수평 이송하는 기판 이송단계; 및,상기 기판 이송단계가 수행되는 과정에서 상기 나노유체 수용부를 상승 후 하강시키는 수용부 승강 구동단계;를 포함하며,상기 기판의 상면의 매니스커스 접촉 영역 중 기판의 이송 방향으로 후방 영역에서 상기 나노유체 수용부의 상승 구동시 매니스커스 접촉이 해제되는 부분에 나노입자가 잔류되어 기판의 이송방향과 수직한 방향으로 미세 패턴이 형성되고,상기 기판 이송단계는 상기 기판과 상기 나노유체 수용부를 구성하는 격벽의 하단 사이의 간격이 0
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
삭제
|
| 23 |
23
삭제
|
