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기재 상에 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체; 및,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에 형성된 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하고, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체와 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 헤테로 접합되는 것이며,상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 금속에 의해 도핑된 것을 포함하는 것인,이중 다공성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체의 동공이 역오팔 구조로 배열된 것인, 이중 다공성 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 TiO2, WO3, BiVO4, Fe2O3, Cu2O, C3N4, SrTiO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 도핑되는 금속은 몰리브덴을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체는 100 nm 초과 내지 3,000 nm 이하의 동공을 가지는 것인, 이중 다공성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 1 nm 내지 300 nm의 동공을 가지는 것인, 이중 다공성 구조체
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기재에 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 단계; 및, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체와 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 헤테로 접합되는 것이며,상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 금속에 의해 도핑된 것을 포함하는 것인,이중 다공성 구조체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체의 동공이 역오팔 구조로 배열된 것인, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
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12
제 9 항에 있어서,상기 기재에 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것은, 상기 기재에 제 1 고분자 입자를 포함하는 제 1 콜로이드 용액을 코팅하여 제 1 고분자 입자 희생층을 형성하고; 상기 제 1 고분자 입자 희생층에 제 1 전이금속 산화물 전구체 용액을 충진한 후, 열처리하여 상기 제 1 고분자 입자 희생층을 제거하여 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체가 형성되는 것을 포함하는, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 TiO2, WO3, BiVO4, Fe2O3, Cu2O, C3N4, SrTiO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것은, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에, 제 2 고분자 입자를 포함하는 제 2 콜로이드 용액을 코팅하여 제 2 고분자 입자 희생층을 형성하고; 상기 제 2 고분자 입자 희생층에 제 2 전이금속 산화물 전구체 용액을 충진한 후, 열처리하여 상기 제 2 고분자 입자 희생층을 제거하여 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체가 형성되는 것을 포함하는, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 및 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 이중 다공성 구조체를 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 15 항에 있어서,상기 광전기화학전지용 전극은 광전기적 물분해 반응용 전극인 것인, 광전기화학전지용 전극
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17
제 15 항에 따른 광전기화학전지용 전극을 포함하는, 광전기화학전지
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