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이중 다공성 구조체 및 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 광전기화학전지용 전극

  • 기술번호 : KST2019025615
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이중 다공성 구조체, 상기 이중 다공성 구조체의 제조 방법, 상기 이중 다공성 구조체를 광전기적 물분해 반응용 전극으로서 포함하는 광전기화학전지용 전극, 및 상기 광전기화학전지용 전극을 포함하는 광전기화학전지에 관한 것이다.
Int. CL C01G 49/06 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0288 (2006.01.01) C01G 41/02 (2006.01.01) C01G 23/047 (2006.01.01) C01G 23/00 (2006.01.01) C01G 31/02 (2006.01.01) C01G 29/00 (2006.01.01)
CPC C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01)
출원번호/일자 1020160078362 (2016.06.23)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1774353-0000 (2017.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 양천구
2 조창열 대한민국 인천광역시 연수구
3 백수진 대한민국 경상남도 김해시 삼계로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0606320-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0055166-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0260723-59
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0558380-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0558344-67
8 등록결정서
Decision to grant
2017.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0594909-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상에 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체; 및,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에 형성된 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하고, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체와 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 헤테로 접합되는 것이며,상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 금속에 의해 도핑된 것을 포함하는 것인,이중 다공성 구조체
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체의 동공이 역오팔 구조로 배열된 것인, 이중 다공성 구조체
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 TiO2, WO3, BiVO4, Fe2O3, Cu2O, C3N4, SrTiO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 도핑되는 금속은 몰리브덴을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체
7 7
제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체는 100 nm 초과 내지 3,000 nm 이하의 동공을 가지는 것인, 이중 다공성 구조체
8 8
제 1 항에 있어서,상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 1 nm 내지 300 nm의 동공을 가지는 것인, 이중 다공성 구조체
9 9
기재에 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 단계; 및, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체와 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체는 헤테로 접합되는 것이며,상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 금속에 의해 도핑된 것을 포함하는 것인,이중 다공성 구조체의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체의 동공이 역오팔 구조로 배열된 것인, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 기재에 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것은, 상기 기재에 제 1 고분자 입자를 포함하는 제 1 콜로이드 용액을 코팅하여 제 1 고분자 입자 희생층을 형성하고; 상기 제 1 고분자 입자 희생층에 제 1 전이금속 산화물 전구체 용액을 충진한 후, 열처리하여 상기 제 1 고분자 입자 희생층을 제거하여 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체가 형성되는 것을 포함하는, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는 TiO2, WO3, BiVO4, Fe2O3, Cu2O, C3N4, SrTiO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것은, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물 구조체의 동공 내에, 제 2 고분자 입자를 포함하는 제 2 콜로이드 용액을 코팅하여 제 2 고분자 입자 희생층을 형성하고; 상기 제 2 고분자 입자 희생층에 제 2 전이금속 산화물 전구체 용액을 충진한 후, 열처리하여 상기 제 2 고분자 입자 희생층을 제거하여 상기 다공성 제 2 전이금속 산화물 구조체가 형성되는 것을 포함하는, 이중 다공성 구조체의 제조 방법
15 15
제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 및 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 이중 다공성 구조체를 포함하는, 광전기화학전지용 전극
16 16
제 15 항에 있어서,상기 광전기화학전지용 전극은 광전기적 물분해 반응용 전극인 것인, 광전기화학전지용 전극
17 17
제 15 항에 따른 광전기화학전지용 전극을 포함하는, 광전기화학전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 나노·소재기술개발 제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분석