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다이나믹 특성 개선을 위한 트렌치 메탈 구조를 갖는 슈퍼 정션 MOSFET

기술번호 : KST2019025648
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 슈퍼 정션(Super-Junction) MOSFET에 관한 것으로서, 드리프트 영역, 상기 드리프트 영역 상단에 형성되는 제 1 소스부 및 제 2 소스부, 상기 제 1 소스부로부터 상기 드리프트 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 두 개의 제 1 필라(Pillar), 상기 제 2 소스부로부터 상기 드리프트 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 제 2 필라, 및 상기 제 1 소스부와 제 2 소스부 사이에 형성되는 게이트부를 포함하고, 상기 제 1 소스부는, 상기 두 개의 제 1 필라 사이에 트렌치로 형성되어 상기 드리프트 영역과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 함으로써 작은 역회복 전하(Reverse-Recovery Charge) 및 역회복 시간(Reverse-Recovery Time)을 구현할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/73 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 27/095 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01) H01L 29/66643(2013.01)
출원번호/일자	1020160182704 (2016.12.29)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1780436-0000 (2017.09.15)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20170921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.12.29)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김광수	대한민국	경기도 고양시 일산서구
2	김태완	대한민국	대전광역시 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충현	대한민국	서울특별시 서초구 동산로 *, 층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단		서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-1292378-36
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.06.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0087457-17
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.06.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0415112-64
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.06.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0610747-63
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.06.26	수리 (Accepted)	1-1-2017-0610724-13
8	등록결정서 Decision to grant	2017.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0637878-58
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 드리프트 영역;상기 드리프트 영역 상단에 형성되는 제 1 소스부 및 제 2 소스부;상기 제 1 소스부로부터 상기 드리프트 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 두 개의 제 1 필라(Pillar);상기 제 2 소스부로부터 상기 드리프트 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 제 2 필라; 및상기 제 1 소스부와 제 2 소스부 사이에 형성되는 게이트부를 포함하고,상기 제 1 소스부는,상기 두 개의 제 1 필라 사이에 트렌치로 형성되어 상기 드리프트 영역과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층을 포함하며,상기 제 1 소스부의 금속층은,상기 두 개의 제 1 필라 사이에서만 상기 드리프트 영역과 접합하여 쇼트키 장벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션(Super-Junction) MOSFET
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 쇼트키 장벽의 폭이 커질수록 역회복 전하(Reverse-Recovery Charge) 및 역회복 시간(Reverse-Recovery Time)을 줄어드는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 소스부는 상기 드리프트 영역 상단 중앙에 형성되고, 상기 제 2 소스부는 상기 제 1 소스부 양측에 두 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 소스부는,소스 전극을 형성되는 상기 금속층;상기 금속층 양 측면에 형성되어 상기 금속층과 상기 게이트부를 연결하는 N+ 소스층;상기 금속층 양 측면 하부에 형성되는 P+ 소스층; 및상기 P+ 소스층과 N+ 소스층 하부에 형성되는 P 타입 바디층을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 필라의 도핑 농도는,아발란치(avalanche) 항복이 상기 제 1 필라에 발생하도록 상기 제 2 필라의 도핑 농도보다 소정의 값 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제 2 소스부는,소스전극;상기 소스전극 하부에 형성되는 P+ 소스층;상기 소스전극 하부에 형성되어 상기 소스전극과 상기 게이트부를 연결하는 N+ 소스층; 및상기 P+ 소스층과 N+ 소스층 하부에 형성되어 상기 P+ 소스층과 N+ 소스층을 상기 드리프트 영역과 격리시키는 P 타입 바디층을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
8	8 제 1 항에 있어서,상기 드리프트 영역 하부에 형성되는 기판; 및상기 기판 하부에 형성되는 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
9	9 제 1 항에 있어서,상기 게이트부는,게이트 전극; 및상기 게이트 전극 하부에 형성되는 산화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET
10	10 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 슈퍼 정션 MOSFET을 포함하는 전력장치
11	11 N 타입 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 N 타입 드리프트 영역을 형성하는 단계;상기 드리프트 영역에 제 1 필라 및 제 2 필라를 형성하기 위해 트렌치 에칭하고, 에칭한 영역에 P 타입 에피를 증착시켜 상기 제 1 필라 및 제 2 필라를 형성하는 단계;상기 제 1 필라 및 제 2 필라를 형성한 위에 상기 N 타입 트리프트 영역 에피를 증착하는 단계;상기 제 1 필라 및 제 2 필라 상부에 P 타입 바디층을 형성하는 단계;상기 제 2 필라 상부에 형성된 P 타입 바디층에 N+ 소스층과 P+소스층을 형성하는 단계;상기 제 1 필라 상부에 P 타입 바디층에 N+ 소스층을 형성하는 단계;상기 제 1 필라 상부에 형성된 N+ 소스층과 상기 제 2 필라 상부에 형성된 N+ 소스층을 연결하도록 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1 필라 사이를 트렌치 에칭하고, 에칭한 영역에 P+ 소스층을 형성한 후, 메탈을 증착하여 트렌치 메탈을 형성하는 단계를 포함하는 슈퍼 정션 MOSFET 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 제 1 필라 및 제 2 필라를 형성하는 단계는,상기 드리프트 영역 중앙에 두 개의 제 1 필라를 형성하고, 상기 드리프트 영역 측면에 두 개의 제 2 필라를 형성하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET 제조방법
13	13 제 11 항에 있어서,상기 제 1 필라 및 제 2 필라를 형성하는 단계는,상기 제 1 필라 및 제 2 필라 형성을 위해 상기 드리프트 영역 상부를 패터닝한 후 트렌치 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 정션 MOSFET 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	서강대학교 산학협력단	산업전문인력역량강화	융복합 바이오헬스케어 고급인력양성 컨소시엄

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1780436-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20161229 출원 번호 : 1020160182704 공고 연월일 : 20170921 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170912 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 29/66 발명의 명칭 : 다이나믹 특성 개선을 위한 트렌치 메탈 구조를 갖는 슈퍼 정션 MOSFET 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2017년 09월 15일	납입
제 4 년분	금 액	152,000 원	2020년 07월 02일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-1292378-36
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
3	선행기술조사의뢰서	2017.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2017.06.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0087457-17
5	의견제출통지서	2017.06.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0415112-64
6	[명세서등 보정]보정서	2017.06.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0610747-63
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.06.26	수리 (Accepted)	1-1-2017-0610724-13
8	등록결정서	2017.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0637878-58
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


과제고유번호	1415146669
세부과제번호	N0001594
연구과제명	융복합 바이오헬스케어 고급인력양성 컨소시엄
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201603~201702
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	기타


과제고유번호	1415146669
세부과제번호	N0001594
연구과제명	융복합 바이오헬스케어 고급인력양성 컨소시엄
성과구분	등록
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201603~201702
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	기타

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