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전도성 고분자 박막의 적어도 일부분을 테트라키스(디메틸아미노)에틸렌(Tetrakis(dimethylamino)ethylene, TDAE), 에틸렌디아민(Ethylenediamine, EDA), 하이드라진(Hydrazine), 수소화붕소나트륨(sodium borohydride, NaBH4), 수소화알루미늄리튬(lithium aluminum hydride, LiAlH4) 및 싸이오황산나트륨(sodium thiosulfate, Na2S2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표면처리제로 처리하여, 상기 표면처리제에 노출된 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분의 전하 밀도를 감소시키는 단계를 포함하고,상기 표면처리제에 노출된 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분은 전하 밀도가 감소되어 반도체 특성을 갖고, 상기 표면처리제에 노출되지 않은 부분은 전도성 특성을 갖는 것을 특징으로 하는,반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT)계 고분자, 폴리아닐린(polyaniline, PANI)계 고분자 및 폴리디이미드(poly-diimide)계 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 박막은전도성 고분자 분산액을 기판 상에 도포하는 단계; 및기판 상에 도포된 전도성 고분자 분산액을 건조하는 단계를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는,반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 커버하는 게이트 유전체 층;상기 게이트 유전체 층 상에 배치되고, 가운데 일부분이 테트라키스(디메틸아미노)에틸렌, 에틸렌디아민, 하이드라진, 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄리튬 및 싸이오황산나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표면처리제로 처리되어, 표면처리된 가운데 일부분의 전하 밀도가 감소되어 반도체 특성을 나타내는 전도성 고분자 박막; 및상기 전도성 고분자 박막 상에서 상기 전하 밀도가 감소된 영역 이외의 영역에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는,박막 트랜지스터
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기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 커버하는 게이트 유전체 층;상기 게이트 유전체 층 상에 배치되고, 테트라키스(디메틸아미노)에틸렌, 에틸렌디아민, 하이드라진, 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄리튬 및 싸이오황산나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표면처리제로 처리되어 전하 밀도가 감소되어 반도체 특성을 나타내는 전도성 고분자 박막; 및상기 전도성 고분자 박막 상에서 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는,박막 트랜지스터
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