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테라헤르츠파를 생성하는 테라헤르츠파 생성부;상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파를 이용하여 검사 대상 물체에 테라헤르츠파 베셀빔이 형성되도록 하며, 상기 테라헤르츠파 베셀빔의 직경이 상기 테라헤르츠파 생성부에서 생성된 테라헤르츠파의 파장보다 작게 형성되는 꼭지각을 갖는 제 1 엑시콘 렌즈인 베셀빔 형성부;상기 테라헤르츠파 베셀빔이 상기 검사 대상 물체를 투과하면서 발산되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경하는 제 1 렌즈;상기 제 1 렌즈를 통과한 테라헤르츠파를 검출기로 집광시키는 제 2 렌즈; 및 상기 제 2 렌즈에 의해서 집광된 테라헤르츠파를 검출하는 테라헤르츠파 검출부를 포함하는, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 엑시콘 렌즈의 꼭지각의 최대값은,여기서, J0 : 0차 베셀 함수 ρFWHM : 포커싱된 테라헤르츠파 베셀빔의 반치폭 λ : 테라헤르츠파의 파장 α0 : 엑시콘 렌즈를 지나 교차하는 테라헤르츠파의 교차각의 절반 값 n : 제 1 엑시콘 렌즈의 굴절률 n0 : 주변 환경의 평균 굴절률 τ : 제 1 엑시콘 렌즈의 꼭지각위의 수학식을 통해 계산된 제 1 엑시콘 렌즈의 꼭지각(τ)인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 엑시콘 렌즈의 꼭지각의 최소값은,제 1 엑시콘의 굴절률에 따른 전반사가 발생하지 않는 제 1 엑시콘 렌즈의 꼭지각인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,상기 검사 대상 물체를 기준으로 상기 제 1 엑시콘 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 2 엑시콘 렌즈인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 렌즈는,상기 제 1 엑시콘 렌즈과 동일한 크기의 꼭지각을 갖는, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경시켜 상기 베셀빔 형성부로 입사시키는 각도 변경부를 더 포함하는, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 5 항에 있어서,상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경시켜 상기 베셀빔 형성부로 입사시키는 제 1 볼록 렌즈인 각도 변경부를 더 포함하고,상기 제 2 렌즈는,상기 검사 대상 물체를 기준으로 상기 제 1 볼록 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 2 볼록 렌즈인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 렌즈는,상기 제 2 엑시콘 렌즈와 동일한 모양을 가지며, 광축에 수직한 축을 기준으로 상기 제 2 엑시콘 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 3 엑시콘 렌즈인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,상기 테라헤르츠파 베셀빔이 상기 검사 대상 물체를 투과하면서 발산되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경하는 제 3 볼록 렌즈인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 10 항에 있어서,상기 제 2 렌즈는,광축에 수직한 축을 기준으로 상기 제 3 볼록 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 4 볼록 렌즈인, 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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