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온도에 따라 분자구조가 변화되는 감열 물질이 표면에 함입되며, 다수의 공극(air void)을 포함하며, 상기 다수의 공극(air void)으로 인해 특정 테라헤르츠 파장에서 급격한 흡수 또는 반사가 일어나는 저역 통과 필터의 특성을 가지며, 테라헤르츠파를 투과하는 광학 기판으로 구성되고,상기 다수의 공극(air void)은,상기 광학 기판을 상기 감열 물질의 녹는점 이상의 온도로 설정된 시간 동안 가열하여 상기 감열 물질이 재결정화됨에 따라 상기 표면으로부터 광학 기판의 내부쪽으로 공간이 형성되어 생성되고, 상기 다수의 공극(air void)의 크기가 커지고, 상기 광학 기판 대비 상기 다수의 공극(air void)의 함량비가 커짐에 따라 차단 주파수(cut-off)가 낮아지는,테라헤르츠파 저역 통과 필터
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제 1 항에 있어서,상기 설정된 시간은10분 이상인 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터
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제 1 항에 있어서,상기 감열 물질은,fatty acid 또는 diacetylene molecule로 구성되는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광학 기판은,High density polyethylene(HDPE), TPX Polymethylpentene, 또는 Polytetrafluoroethylene(Teplon, PTFE)로 구성되는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터
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온도에 따라 분자구조가 변화되는 감열 물질이 표면에 함입된 테라헤르츠파를 투과하는 광학 기판을 생성하되, 차단 주파수(cut-off)를 낮추기 위해 감열 물질이 함입되는 영역의 크기를 크게 함입하여, 형성되는 다수의 공극(air void)의 크기를 크게 하고, 차단 주파수(cut-off)를 낮추기 위해 상기 광학 기판 대비 다수의 공극(air void)의 함량비가 커지도록 감열 물질이 함입되는 개수를 늘려, 상기 형성되는 다수의 공극(air void)의 개수를 늘리는 단계;상기 광학 기판을 상기 감열 물질의 녹는점 이상의 온도로 설정된 시간 동안 가열하는 단계; 및상기 가열에 의해 상기 감열 물질이 재결정화됨에 따라 상기 표면으로부터 광학 기판의 내부쪽으로 공간이 형성되어 다수의 공극(air void)이 형성되고, 상기 광학 기판은 상기 다수의 공극(air void)으로 인해 특정 테라헤르츠파 파장에서 급격한 흡수 또는 반사가 일어나는 저역 통과 필터의 특성을 가지게 되는 단계를 포함하는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 설정된 시간은10분 이상인 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 감열 물질은,fatty acid 또는 diacetylene molecule로 구성되는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 광학 기판은,High density polyethylene(HDPE), TPX Polymethylpentene, 또는 Polytetrafluoroethylene(Teplon, PTFE)로 구성되는, 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
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