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기판(100)에 기설정된 크기에 따라 나노 패턴의 마스터 몰드(Master Mold)를 가공하는 제 1 단계(S100);상기 제 1 단계(S100)에 의해 가공된 마스터 몰드 상에 원자층 증착법(ALD, Atomic Layer Deposition)을 통해 희생층(200)을 증착하는 제 2 단계(S200);상기 제 2 단계(S200)에 의해 증착된 희생층(200) 상에 폴리머층(300)을 코팅하는 제 3 단계(S300);폴리머층(300) 하부의 희생층(200) 및 기판(100)을 식각하는 제 4 단계(S400); 및상기 제 4 단계(S400)에 의해 희생층(200) 및 기판(100)이 식각된 폴리머층(300) 표면에 원자층 증착법을 통한 원자층(400)을 코팅하는 제 5 단계(S500);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 단계(S100)는기판(100)에 펨토초레이저(Femtosecond Laser)를 이용하거나, DRIE(Deep Reactive Ion Etching)를 이용한 미세 가공을 통해, 1 : 5 이상의 종횡비(Aspect Ratio)를 갖는 나노 패턴의 마스터 몰드를 가공하는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2 단계(S200)는희생층(200)으로 SiO2, SiNx 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 이용하고,원자층 증착법으로 플라즈마-강화 원자층 증착법(Plasma-Enhanced ALD)을 이용하거나, Thermal ALD을 이용하여 희생층(200)을 증착하는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 3 단계(S300)는폴리머층(300)으로 폴리이미드(Polyimide)를 이용하고,스핀 코팅 방법, 슬롯 코팅 방법, 바 코팅 방법, 몰딩 코팅 방법 중 어느 하나를 이용하여 폴리머층(300)을 코팅하는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 4 단계(S400)는불산(HF, Hydrofluoric acid), 버퍼산화식각(BOE, Buffered Oxide Etchant), 인산(Phosphoric Acid) 용액 중 어느 하나를 이용하여, 폴리머층(300) 하부의 희생층(200) 및 기판(100)을 식각하는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 5 단계(S500)는원자층 증착법으로 플라즈마-강화 원자층 증착법(Plasma-Enhanced ALD)을 이용하거나, Thermal ALD을 이용하여 원자층(400)을 증착하는 것을 특징으로 하는 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름 제조 방법
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