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나노클러스터를 이용한 양자점의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019026085
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 양자점의 제조 방법은, 반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계, 상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 상기 나노클러스터보다 큰 직경을 가지며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계 및 상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 따르면, 양자점의 크기를 용이하게 조절할 수 있다.
Int. CL C09K 11/62 (2006.01.01) C09K 11/63 (2006.01.01) C09K 11/64 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01)
출원번호/일자 1020160134130 (2016.10.17)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1768998-0000 (2017.08.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정소희 대한민국 대전광역시 유성구
2 수다르산 타망 인도 인도, 시킴-****
3 이성희 대한민국 서울특별시 강서구
4 최혜경 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1001421-66
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1096813-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049420-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0931084-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0182622-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0182621-46
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0240192-00
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0367685-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계;상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 상기 나노클러스터보다 큰 직경을 가지며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계; 및상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함하며,상기 반도체성 화합물은 III-V족 화합물을 포함하고, 상기 나노클러스터를 준비하는 단계는, III족 전구체와 V족 전구체를 40℃ 이하에서 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노클러스터를 이용한 양자점의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체성 화합물은, 인듐 아세나이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 시드 입자를 준비하는 단계는,III족 전구체와 V족 전구체를 200℃ 내지 320℃에서 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
6 6
반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계;상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 상기 나노클러스터보다 큰 직경을 가지며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계; 및상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함하며,상기 반도체성 화합물은 III-V족 화합물을 포함하고, 상기 나노클러스터의 직경은 1nm 내지 4nm인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 시드 입자의 직경은 2nm 내지 3nm인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 기계연구원 교과부-국가연구개발사업(III) III-V 나노결정 양자소재 표면연구 및 소자 적용 (1/3)
2 미래창조과학부 울산과학기술대학교 산학협력단 미래부-국가연구개발사업(III) 핫캐리어 생성 및 수집 제어 기술