| 1 |
1
폴리머 기판; 및상기 기판 상에 형성되고, 복수의 높이 분포를 가지는 다중 나노구조체를 포함하며,상기 다중 나노구조체는 상기 기판 표면에 서로 이격되어 형성되며, 복수의 높이 분포를 가지는 복수의 나노돌기 및 나노로드; 및 상기 나노돌기 및 상기 나노로드 표면상에 형성된 금속 함유 나노입자를 포함하여,기판상 인접한 상기 나노돌기와 상기 나노로드 간에 형성되는 나노갭을 포함하는 복수의 나노갭이 형성되어, 나노갭의 밀도가 높아지는 것을 특징으로 하는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 2 내지 5인,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 나노갭은 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 나노돌기 및 상기 나노로드는 상부 돌출곡면을 가지는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 다중 나노구조체는 체적이 서로 상이한,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 나노돌기 및 상기 나노로드는 플라즈마 식각에 의해 형성되는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨, 탄소, 황, 불소 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation), 화학 증기 증착(chemical vapor deposition), 및 원자층 증착(atomic layer deposition)에서 선택되는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 라만활성물질은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금에서 선택되는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 기판은 표면 증강 라만 산란용 기판인,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판
|
| 13 |
13
광원;표면증강 라만 분광용으로 사용되는 제1항에 기재된 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 포함하는라만분광 장치
|
| 14 |
14
제1항 기재의 기판의 제조방법에 있어서,폴리머 기판을 가공하여 복수의 높이 분포를 가지며 서로 이격된 복수의 나노돌기를 형성하는 단계; 및 상기 나노돌기 표면상에 금속 함유 나노입자를 형성하여, 복수의 높이 분포를 가지는 플라즈모닉 다중 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 나노돌기를 형성하는 단계에서 나노로드를 추가로 형성하며,기판상 인접한 상기 나노돌기와 상기 나노로드 간에 형성되는 나노갭을 포함하는 복수의 나노갭이 형성되어, 나노갭의 밀도가 높아지는 것을 특징으로 하는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판의 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 나노돌기 및 상기 나노로드는 플라즈마 식각에 의해 형성하는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판의 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 나노로드는 상기 나노로드 형성 이후에 플라즈마 식각을 지속하여 종횡비가 2 내지 5인 나노로드를 형성하는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는 기판의 제조방법
|
