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SiC 지지층용 조성물에 있어서
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제1항에 있어서,상기 글래스 프릿은 전체 100중량%에 대하여, SiO2 70~81중량% B2O3 9~12중량%, Al2O3 5~10중량% 및 Na2O 5~8중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 지지층용 조성물
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제1항 또는 제2항의 SiC 지지층용 조성물로부터 형성되는 SiC 지지층; 상기 SiC 지지층 상에 형성되는 SiC 중간층;상기 SiC 중간층 상에 형성되는 SiC 멤브레인층; 및상기 SiC 멤브레인층 상에 형성되는 Al2O3 코팅층;을 포함하고,상기 SiC 지지층의 굴곡 강도는 75~85MPa인 것을 특징으로 하는 SiC 분리막
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제4항에 있어서,상기 SiC 지지층은 평균 입경이 1~5㎛인 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 분리막
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(a) SiC 파우더, 글래스 프릿(glass frit), 및 유기 바인더를 포함하는 SiC 지지층용 조성물을 형성하는 단계;(b) 상기 SiC 지지층용 조성물을 성형하여 성형체를 형성하는 단계;(c) 상기 성형체를 소결하여 SiC 지지층을 형성하는 단계;(d) 상기 SiC 지지층 상에 SiC 중간층용 조성물을 도포한 후, 소결하여 SiC 지지층 상에 SiC 중간층을 형성하는 단계; (e) 상기 SiC 중간층 상에 SiC 멤브레인층용 조성물을 도포한 후, 소결하여 SiC 중간층 상에 SiC 멤브레인층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 SiC 멤브레인층 상에 Al 전구체를 포함하는 코팅용 조성물을 도포한 후, 소결하여 SiC 멤브레인층 상에 Al2O3 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 SiC 지지층용 조성물 100중량%에 대하여, 글래스 프릿 15~25중량%를 포함하며,상기 (a) 단계에서, SiC 지지층용 조성물에 포함되는 SiC 파우더의 평균 입경은 10~20㎛인 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서, SiC 지지층은 평균 입경이 1~5㎛인 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 글래스 프릿은 전체 100중량%에 대하여, SiO2 70~81중량% B2O3 9~12중량%, Al2O3 5~10중량% 및 Na2O 5~8중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 성형은 프레스 성형, 냉간 정수압 프레스 성형, 압출 성형 또는 분말 사출 성형으로 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계 내지 (f) 단계에서,소결은 공기 분위기에서, 800~1000℃에서 1~5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (d) 단계에서, SiC 중간층용 조성물은 SiC 파우더, 글래스 프릿(glass frit), 및 유기 바인더를 포함하되, SiC 중간층용 조성물에 포함되는 SiC 파우더의 평균 입경은 SiC 지지층용 조성물에 포함되는 SiC 파우더의 평균 입경 보다 작고,상기 (e) 단계에서, SiC 멤브레인층용 조성물은 SiC 파우더, 글래스 프릿(glass frit), 및 유기 바인더를 포함하되, SiC 멤브레인층용 조성물에 포함되는 SiC 파우더의 평균 입경은 SiC 중간층용 조성물에 포함되는 SiC 파우더의 평균 입경 보다 작은 것을 특징으로 하는 SiC 분리막의 제조 방법
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