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비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법

  • 기술번호 : KST2019026145
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 밀착력을 갖는 ta-C층을 형성하고 또한 알루미늄(Al), 구리(Cu), 수지와 같은 비철재료가 초경공구의 표면에 부착되는 것을 차단하는 성이 우수한 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅방법에 관한 것으로, 선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계와, 상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계와, 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계와, 경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/32 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01)
CPC C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01)
출원번호/일자 1020170089482 (2017.07.14)
출원인 (주)보림시스템, 한국기계연구원
등록번호/일자 10-2018423-0000 (2019.08.29)
공개번호/일자 10-2019-0007878 (2019.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20190905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)보림시스템 대한민국 경기도 시흥시 군
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성 석 원 충청남도 천안시 서북구
2 배 은 현 서울특별시 동작구
3 범 훈 서울특별시 강서구
4 구기은 서울시 금천구
5 김종국 경남 창원시 의창구
6 강용진 경남 진주시 사들로 ***, ***
7 김도현 경남 창원시 성산구
8 장영준 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진원 대한민국 경기도 군포시 고산로 ***, ***호 진성국제특허법률사무소 (당정동, 맥시움빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)보림시스템 대한민국 경기도 시흥시 군
2 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0674646-38
2 보정요구서
Request for Amendment		 2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0099849-16
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0695477-55
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0780032-24
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0014954-82
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0179802-58
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0423254-04
9 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status		 2019.04.25 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0427055-18
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2019.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0072044-72
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2019.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0459232-87
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0481894-42
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0488221-54
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2019.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0097028-71
15 보정요구서
Request for Amendment		 2019.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0098046-61
16 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0625903-10
17 보정요구서
Request for Amendment		 2019.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0105088-33
18 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2019.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0656721-12
19 등록결정서
Decision to grant		 2019.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0557740-82
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번호 청구항
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선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계;상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계; 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계; 및경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계를 포함하는 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법에 있어서, 상기 선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계는, 성막 챔버 내 진공압을 5
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선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계;상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계; 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계; 및경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계를 포함하는 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법에 있어서, 상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계는,성막 챔버 내 진공압을 1
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비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법으로서,선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계;상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계; 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계; 및경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계 를 포함하는 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법에 있어서, 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계는, 성막 챔버 내 진공압을 1
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선형 이온빔 소스에서 발생되는 이온으로 초경공구의 표면을 50nm 이하로 에칭하는 단계;상기 에칭된 초경공구 표면과 ta-C층의 밀착력을 높이기 위하여 스퍼터링으로 초경공구 표면에 110nm 이하의 중간층을 코팅하는 단계; 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 중간층에 100nm 이하의 소프트 ta-C층을 형성하는 단계; 및경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계를 포함하는 비철재료용 가공공구의 표면에 ta-C 코팅 방법에 있어서, 경도와 이형성을 확보하기 위해 필터드 아크 이온을 이용하여 상기 소프트 ta-C층에 300nm 이하의 하드 ta-C층을 형성하는 단계는,성막 챔버 내 진공압을 1
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원통상부 (주)보림 시스템 핵심소재원천기술개발사업 고밀도 (10 11-13승 cm -3승급) 플라즈마를 이용한 비철 가공용 공구용 이형성 코팅 공정 기술개 발