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내부가 반응 챔버의 내부와 통하도록 반응 챔버로부터 확장되며, 투명창이 설치된 가이드 관;상기 투명창의 외측에 위치하는 교정 광원;상기 가이드 관의 단부에 위치하는 가시창;상기 가이드 관의 내부에 위치하며, 상기 투명창을 투과한 상기 교정 광원의 교정 광을 상기 가시창으로 반사시키는 반사체;상기 가이드 관의 내부에서 상기 반사체를 지지하며, 상기 가이드 관의 내부 공간 일부를 플라즈마 광 유로와 교정 광 유로로 분리시키는 분리부; 및상기 가시창의 외측에 위치하며, 상기 가시창을 투과한 플라즈마 광과 교정 광을 분석하는 분광 분석기를 포함하는 플라즈마 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 분리부는 상기 투명창의 내측에 위치하는 경사부와, 상기 경사부의 가장자리에서 상기 가시창을 향해 확장된 직선부를 포함하며,상기 분리부의 내측과 외측이 각각 상기 플라즈마 광 경로와 상기 교정 광 경로가 되는 플라즈마 분석 장치
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제3항에 있어서,상기 경사부는 상기 가이드 관의 길이 방향에 대해 45° 경사지고,상기 반사체는 상기 투명창을 향한 상기 경사부의 일면에 위치하는 플라즈마 분석 장치
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제3항에 있어서,상기 직선부는 상기 가이드 관의 길이 방향을 따라 상기 가시창과 거리를 두고 위치하는 플라즈마 분석 장치
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반응 챔버로부터 확장되어 플라즈마 광을 안내하는 가이드 관;상기 가이드 관의 단부 내측에 위치하는 빔 스플리터;상기 가이드 관의 단부에서 상기 빔 스플리터를 사이에 두고 서로 마주하거나 교차하도록 설치된 제1 가시창 및 제2 가시창;상기 제1 가시창의 외측에 위치하며, 상기 빔 스플리터로 교정 광을 제공하는 교정 광원; 및상기 제2 가시창의 외측에 위치하는 분광 분석기를 포함하며,상기 빔 스플리터는 교정 광의 일부와 플라즈마 광의 일부를 상기 분광 분석기로 제공하고, 상기 분광 분석기는 상기 빔 스플리터를 거쳐 상기 제2 가시창을 투과한 교정 광과 플라즈마 광을 분석하는 플라즈마 분석 장치
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제6항에 있어서,상기 제1 가시창과 상기 제2 가시창은 상기 가이드 관의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 서로 마주하고,상기 빔 스플리터는 빗면이 플라즈마 광 경로 및 상기 제2 가시창과 마주하는 직각 프리즘으로 구성되는 플라즈마 분석 장치
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제7항에 있어서,상기 빔 스플리터의 빗면에서 플라즈마 광과 교정 광 각각은 반사광과 투과광으로 분리되고,플라즈마 광의 반사광과 교정 광의 투과광이 상기 제2 가시창을 거쳐 상기 분광 분석기에 입사하는 플라즈마 분석 장치
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제7항에 있어서,상기 가이드 관의 단부에서 상기 가이드 관의 길이 방향과 수직한 방향으로 확장된 확장관을 더 포함하며,상기 제2 가시창이 상기 확장관의 단부에 위치하는 플라즈마 분석 장치
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제6항에 있어서,상기 제2 가시창은 상기 가이드 관의 단부에 위치하고,상기 제1 가시창은 상기 빔 스플리터를 사이에 두고 상기 제2 가시창에 직교하며,상기 빔 스플리터를 사이에 두고 상기 제1 가시창과 마주하도록 상기 가이드 관에 거울이 설치되는 플라즈마 분석 장치
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제10항에 있어서,상기 빔 스플리터는 빗면이 플라즈마 광 경로 및 상기 제1 가시창과 마주하는 직각 프리즘으로 구성되는 플라즈마 분석 장치
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제10항에 있어서,상기 교정 광원은 상기 제1 가시창에 탈착 가능하게 결합되고,상기 분광 분석기는 상기 제2 가시창에 탈착 가능하게 결합되며,상기 교정 광원과 상기 분광 분석기는 상호 위치 변경이 가능한 플라즈마 분석 장치
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제6항에 있어서,상기 제1 가시창과 상기 제2 가시창은 상기 가이드 관의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 서로 마주하고,상기 빔 스플리터는 빗면이 서로 접하도록 조합된 두 개의 직각 프리즘으로 구성되는 플라즈마 분석 장치
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제7항에 있어서,상기 반응 챔버는 챔버 윈도우를 포함하고,상기 가이드 관은 상기 챔버 윈도우의 바깥에서 상기 반응 챔버에 연결되며,상기 챔버 윈도우를 투과한 플라즈마 광이 상기 빔 스플리터를 거쳐 상기 분광 분석기로 입사하는 플라즈마 분석 장치
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플라즈마 광과 교정 광이 시간 경과에 따라 오염되는 광학 부재를 거쳐 분광 분석기에 입사하는 제1항 및 제3항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 분석 장치의 플라즈마 분석 방법으로서,상기 광학 부재가 오염되기 전, 교정 광으로부터 파장별 세기에 관한 교정 기준값을 검출 및 저장하는 단계;반응 챔버에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 광을 분광 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 단계;상기 광학 부재가 오염된 후, 교정 광으로부터 파장별 세기에 관한 제1 측정값을 검출하고, 상기 제1 측정값과 상기 교정 기준값의 차이인 교정값을 산출 및 저장하는 단계; 및상기 반응 챔버에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 광으로부터 파장별 세기에 관한 제2 측정값을 검출하며, 상기 제2 측정값에 상기 교정값을 적용하여 상기 제2 측정값을 보정하는 단계를 포함하는 플라즈마 분석 방법
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제15항에 있어서,상기 광학 부재는 가시창이거나, 빔 스플리터와 가시창의 조합으로 이루어지는 플라즈마 분석 방법
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제15항에 있어서,상기 제2 측정값을 보정하는 단계에서, 보정된 제2 측정값을 이용하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 분석 방법
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