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이종 접합 다이오드,상기 이종 접합 다이오드 위에 위치하며 제2 전극으로 사용되는 광 필터를 포함하고,상기 이종 접합 다이오드는 금속층, 절연층, 및 반도체층이 차례로 적층되고,상기 반도체층은 전이금속 칼코겐 화합물 및 양자점을 포함하며,상기 반도체층의 상기 양자점은 상기 광 필터와 접촉하는 근적외선 광 센서
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제1항에서,상기 광 필터는 일자형 광 필터 또는 십자형 광 필터를 포함하는 근적외선 광 센서
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제2항에서,상기 이종 접합 다이오드에 연결되는 제1 전극을 더 포함하는 근적외선 광 센서
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제3항에서,상기 제1 전극은 상기 금속층과 접촉하는 근적외선 광 센서
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제1항에서,상기 금속층은 그래핀, 알루미늄 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 근적외선 광 센서
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제1항에서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 이황화 몰리브덴(MoS2), 이황화 텅스텐(WS2), 이셀레늄화 텅스텐(WSe2) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 근적외선 광 센서
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제1항에서,상기 절연층은 육방정계 질화붕소(h-BN)을 포함하는 근적외선 광 센서
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제1항에서,상기 양자점은 황화납(PbS) 양자점, 황화셀레늄(PbSe) 양자점, 황화구리인듐(CuInS2) 양자점, 텔루르화 수은(HgTe) 양자점, 황화수은(HgS) 양자점, InSb, HgTe/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbS/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbSe/ As2S3(코어쉘구조) 양자점 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 근적외선 광 센서
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근 적외선을 감지하는 근 적외선 광 센서,상기 근 적외선 광 센서에 연결되며 상기 근 적외선 광 센서에서 감지한 근적외선을 이미지로 변환하는 이미지 변환부를 포함하고, 상기 근 적외선 광 센서는 이종 접합 다이오드,상기 이종 접합 다이오드 위에 위치하며 제2 전극으로 사용되는 광 필터를 포함하고,상기 이종 접합 다이오드는 금속층, 절연층, 및 반도체층이 차례로 적층되고,상기 반도체층은 전이금속 칼코겐 화합물 및 양자점을 포함하며,상기 반도체층의 상기 양자점은 상기 광 필터와 접촉하는 카메라
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제9항에서,상기 이종 접합 다이오드에 연결되는 제1 전극을 더 포함하는 카메라
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제10항에서,상기 제1 전극에 연결된 제1 보조 전극,상기 광 필터에 연결된 제2 보조 전극, 상기 제1 전극과 상기 제1 보조 전극을 연결하는 제1 연결부,상기 광 필터와 상기 제2 보조 전극을 연결하는 제2 연결부, 그리고상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극과 상기 이미지 변환부를 각각 연결하는 제3 연결부를 포함하는 카메라
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