맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체식 염화수소 가스 센서 및 이의 제조방법.

  • 기술번호 : KST2019026232
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체식 염화수소 가스 센서에 관한 것으로, 반도체 박막이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되는 나노선 패턴; 상기 반도체 박막 및 나노선 패턴 상에 형성되는 보호층으로 이루어지되, 상기 보호층이 형성된 나노선 패턴 상에 가스 반응성 물질이 도포되는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명에 따른 반도체식 염화수소 가스 센서의 제조방법은 a) 반도체 박막 및 상기 반도체 박막 상에 형성된 나노선 패턴의 표면에 염화수소 가스에 의한 부식을 방지하기 위한 보호층을 형성하는 단계; b) 염화수소 가스에 반응하는 가스 반응성 물질을 상기 보호층 위에 도포하는 기능화 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4141(2013.01) G01N 27/4141(2013.01) G01N 27/4141(2013.01) G01N 27/4141(2013.01)
출원번호/일자 1020160026418 (2016.03.04)
출원인 에프에스엠테크(주), 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1729937-0000 (2017.04.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.04)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에프에스엠테크(주) 대한민국 전라북도 완주군
2 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임연호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김진태 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 유찬석 대한민국 전라북도 익산시 배산로
4 정희춘 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 김종화 대한민국 전라북도 완주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 참좋은 대한민국 대구광역시 달서구 호산로**, (주)공성*층(파호동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에프에스엠테크(주) 대한민국 전라북도 완주군
2 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0213218-31
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0039509-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0261371-78
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2016-5071618-80
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0777897-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1277448-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1277453-66
8 등록결정서
Decision to grant
2017.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0250515-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5096945-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 박막이 형성된 기판;상기 기판 상에 형성되는 나노선 패턴;상기 반도체 박막 및 나노선 패턴 상에 형성되며, 염화수소 가스에 의한 부식으로부터 상기 반도체 박막 및 나노선 패턴을 보호, 염화수소 가스 반응성 물질을 공유 또는 비공유 결합 형태로 고정할 수 있는 보호층으로 이루어지되,상기 보호층이 형성된 나노선 패턴 상에 염화수소 가스와 선택적으로 반응하여 상기 반도체 박막 및 나노선 패턴에 전계효과를 발생시키는 염화수소 가스 반응성 물질이 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체식 염화수소 가스 센서
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 보호층은 염화수소 가스에 의한 부식을 방지하기 위한 폴리머로 이루어지며,상기 폴리머는 폴리비닐페놀(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리비닐아세트산(PVAc), 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리에테르 우레탄(PU), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)으로 구성된 군에서 어느 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체식 염화수소 가스 센서
4 4
청구항 1에 있어서,상기 가스 반응성 물질은 화학식 1로 표시되는 테트라페닐포르피린 또는 이의 유도체, 및 화학식 2로 표시되는 테트라페닐포르피린 금속 착물 또는 이의 유도체 중 어느 하나 또는 그 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식 염화수소 가스 센서
5 5
청구항 1에 따른 반도체식 염화수소 가스 센서의 제조방법으로서,a) 반도체 박막 및 상기 반도체 박막 상에 형성된 나노선 패턴의 표면에 염화수소 가스에 의한 부식을 방지하기 위한 보호층을 형성하는 단계;b) 염화수소 가스에 반응하는 가스 반응성 물질을 상기 보호층 위에 도포하는 기능화 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 염화수소 가스 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.