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발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019026253
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요약 발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따라 구현되는 발광 다이오드 칩은 기판, 상기 기판상에 형성된 제 1 반도체층, 상기 제 1 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 제 2 반도체층, 상기 제 2 반도체층 상에 형성된 투명전극층, 상기 투명전극 상의 적어도 일부에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 반도체층과 전기적으로 접속된 제 2 전극 및 적어도 상기 제 1 전극을 감싸도록 상기 투명전극 상에 배치된 은 나노와이어 네트워크층을 포함한다. 이에 의하면, 높은 광 출력을 가짐으로써 광 효율이 향상될 수 있고, 전류 밀집 효과로 인해 발광 다이오드 칩의 면적 대비 높은 광 추출 효율을 달성할 수 있다. 나아가 저저항, 고투과 특성으로 인하여 광 효율을 극대화시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/48 (2010.01.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020160111617 (2016.08.31)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1749154-0000 (2017.06.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0848742-60
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0289848-70
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0515274-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0515293-85
5 등록결정서
Decision to grant
2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0407437-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제 2 반도체층;상기 제 2 반도체층 상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극 상의 적어도 일부에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 반도체층과 전기적으로 접속된 제 2 전극; 및적어도 상기 제 1 전극을 감싸도록 상기 투명전극 상에 배치된 은 나노와이어 네트워크층; 을 포함하고,상기 투명전극층은 제2 반도체층 상면 일부분에 형성되며, 상기 은 나노와이어 네트워크층은 투명전극층이 형성되지 않은 상기 제 2 반도체층 상면의 적어도 일부를 포함하여 배치되고,상기 은 나노와이어는 직경이 10 ~ 100 nm, 길이가 1 ~ 10 ㎛, 평량은 100 ~ 1000 gsm이며,상기 은 나노와이어 네트워크층의 평균 두께는 65
2 2
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3 3
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기판 상에 제 1 반도체층을 형성하는 1단계;상기 제 1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 2단계;상기 활성층 상에 제 2 반도체층을 형성하는 3단계;상기 제 2 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 4단계;상기 투명전극층 상의 일측면에 상기 제 2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 전극을 형성하는 5단계;직경이 10 ~ 100 nm, 길이가 1 ~ 10 ㎛, 평량이 100 ~ 1000 gsm인 은 나노와이어를 포함하는 은 나노와이어 분산액을 700 ~ 900 rpm의 스핀 속도로 수행되는 스핀 코팅을 이용하여 상기 투명전극층 상에 코팅시켜 평균 두께가 65
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제 5 항에 있어서,상기 분산액은 은 나노와이어를 2 ~ 20 중량%로 포함하는 발광 다이오드 칩의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 6단계에서, 상기 은 나노와이어 네트워크가 상기 투명전극 및 제 1 전극을 둘러싸도록 도포하는 발광 다이오드 칩의 제조방법
10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.