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질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2019026274
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n형 질화갈륨층 및 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질이 증착된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드를 제공한다. 또한, 본 발명은 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160159310 (2016.11.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1986548-0000 (2019.05.31)
공개번호/일자 10-2018-0060157 (2018.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20190610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (
2 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1162615-03
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0664940-14
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1148464-11
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1273928-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0066302-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0066301-98
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0369075-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0647697-68
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.07.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0647698-14
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0531717-09
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0990262-78
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0990263-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0147360-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계; 및상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 은(Ag)계 물질의 두께는 80 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×1019cm-3 이하인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법
5 5
제 1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101824322 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2017213403 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업(후속지원) 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구
2 산업통상자원부 전북대학교 산학협력단 수송기기 특화조명 핵심기술개발 전문인력양성사업 수송기기 특화조명용 LED융합부품소재 핵심기술개발 전문인력양성