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단결정 GaN층 및 상기 단결정 GaN층 상에 적층된 AlGaN 층을 갖는 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층;상기 AlGaN 층 상에 형성되며 저항성 접촉 성질을 갖는 소스 전극;상기 AlGaN 층 상에서 상기 소스 전극과 이격 형성되는 게이트 전극; 및상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층의 식각된 경계면 상에 접촉 형성되는 다수의 드레인 쇼트키 전극;을 포함하고,상기 다수의 드레인 쇼트키 전극을 형성하는 과정에서 드레인의 바깥 측 가장자리 상에 접한 채널층 위의 AlGaN 층 및 GaN 층을 선택적으로 식각하여 역방향 누설전류를 감소하게 하며,상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층의 최외측에서는 AlGaN 층 전부 및 GaN 층의 상부층을 식각하고, 상기 AlGaN 층의 가장자리 내측은 단차를 갖는 구조이고,상기 다수의 드레인 쇼트키 전극은 상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층을 이루는 이종접합면이 선택적으로 드러나도록 형성된 다수의 홈에 위치하며, 이를 통해 턴온 전압의 감소와 전류 주입 효과를 개선하는 것을 특징으로 하는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 드레인 쇼트키 전극의 하부는 리세스 식각으로 형성되어 채널을 통한 누설전류 감소 및 상기 드레인 쇼트키 전극의 순방향 전류주입 상승을 가능하게 하는, 다중 드레인 이종접합 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 드레인 쇼트키 전극은 상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층 상에서 전류가 균일하게 분포하도록 반복적으로 연달아 배치되는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터
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베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 적층되는 버퍼층, 상기 버퍼층을 덮는 단결정 GaN층 및 상기 단결정 GaN층 상에 적층된 AlGaN 층을 갖는 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층을 준비하는 단계;리소그라피와 식각을 통하여 상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층의 이종접합면이 선택적으로 드러나도록 다수의 홈을 형성하는 단계;상기 AlGaN 층 상에 소스의 저항성금속 접촉을 형성되도록 리소그라피, 금속막 증착 및 리프트-오프 공정을 수행하는 단계; 및상기 AlGaN 층 상에 리소그라피, Ni/Au의 금속막 증착 및 리프트-오프 공정을 이용하여 게이트와 드레인의 쇼트키 접합을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층의 식각된 경계면 상에 접촉 형성되는 다수의 드레인 쇼트키 전극은 상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층을 이루는 이종접합면이 선택적으로 드러나도록 형성된 다수의 홈에 위치하고,상기 다수의 드레인 쇼트키 전극을 형성하는 과정에서 상기 드레인의 바깥 측 가장자리 상에 접한 채널층 위의 AlGaN 층 및 GaN 층 을 선택적으로 식각하여 역방향 누설전류를 감소하게 하고,상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층의 최외측에서는 AlGaN 층 전부 및 GaN 층의 상부층을 식각하고, 상기 AlGaN 층의 가장자리 내측은 단차를 갖는 구조이고, 이를 통해 턴온 전압의 감소와 전류 주입 효과를 개선하는 것을 특징으로 하는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 소스의 저항성 접촉은 상기 AlGaN/GaN 이종접합 반도체 층 위에 Ti,Al,Ni,Au 을 포함하는 그룹 중 어느 하나의 금속막이 적층되도록 한 뒤 소정 온도 및 소정 시간 동안 열처리하여 형성하는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 AlGaN 층은 Al을 25% 함유한 상태에서 30 nm의 두께로 성장시키는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 베이스 기판은 Si, SiC 및 사파이어를 포함하는 그룹 중 어느 하나의 재료를 이용하는,다중 드레인 이종접합 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 드레인의 쇼트키 접합을 형성한 후, 상기 드레인 쇼트키 전극의 순방향 전류주입 효과를 높이기 위하여 열처리 공정을 수행하는, 다중 드레인 이종접합 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 제조 방법을 이용하여 제조된 다중 드레인 이종접합 트랜지스터를 이용한 회로
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