| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
Ti, W 및 Si 중 어느 하나로 된 전극체용 모재;상기 모재 위에 형성된 Nb 박막층; 및상기 박막 위에 형성된 BDD(Boron-Doped Diamond)층;을 포함하는 전극체이고,상기 Nb 박막층은 sp3 구조를 갖고, 상기 모재의 확산에 의한 화합물의 형성을 억제시키는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 모재는 Ti이고, 상기 모재의 확산에 의한 화합물은 탄화티타늄, 수소화티타늄 및 붕화티타늄 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 Nb 박막층은 10㎚ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체
|
| 5 |
5
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항의 접착력이 향상된 BDD 전극체는 폐수에 포함된 화학적 산소요구량(COD: Chemical Oxygen Demand)을 분해하는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
Ti, W 및 Si 중 어느 하나로 된 전극체용 모재를 전처리하는 제1단계;상기 모재 위에 Nb 박막층을 형성하는 제2단계; 및상기 박막 위에 BDD(Boron-Doped Diamond)층을 형성하는 제3단계;를 포함하고,상기 전처리하는 제1단계는(a) Al2O3 또는 SiO2 입자를 이용하여 샌딩(Sanding)하는 단계; (b) 산성 용액으로 에칭(Etching)하는 단계; 및(c) 다이아몬드 입자를 포함하는 용액으로 시딩(Seeding)하는 단계;를 포함하며, 상기 Nb 박막층은 sp3 구조를 갖고, 상기 모재의 확산에 의한 화합물의 형성을 억제시키는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제2단계에서 DC 마그네트론 스퍼터링 (DC magnetron Sputtering), RF 스퍼터링 (RF Sputtering), 열 증착법 (Thermal Evaporation), 진공 증착법 (Vacuum Evaporation), 이온 도금법 (Ion Plating), 이온빔 증착법 (Ion Beam Deposition), 분자빔 에피탁시 (Molecular Beam Epitaxy), 전기도금법 (Electroplating), 플라즈마 분무법 (Plasma Spraying), 레이져 삭마법 (Laser Ablation), 또는 전자빔 삭마법 (E-beam Ablation), 금속-유기 화학 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 및 하이드라이드 기상 에피탁시 (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 어느 하나의 증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 제3단계에서 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 또는 HFCVD(Hot Filament CVD) 방법으로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 모재는 Ti이고, 상기 모재의 확산에 의한 화합물은 탄화티타늄, 수소화티타늄 및 붕화티타늄 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 제2단계의 박막층은 10㎚ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
| 12 |
12
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항의 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법으로 제조된 BDD 전극체는 폐수에 포함된 화학적 산소요구량(COD: Chemical Oxygen Demand)을 분해하는 것을 특징으로 하는, 접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법
|
