맞춤기술찾기

이전대상기술

IMD3 상쇄를 위한 병렬결합 트랜지스터를 이용한 선형화된 HBT 기반 전력증폭기

  • 기술번호 : KST2019026426
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 병렬결합 트랜지스터를 이용하여 기본(fundamental) 성분은 증폭이 되고 IMD3 성분은 상쇄되도록 하여 효과적으로 선형성을 개선할 수 있도록 한 IMD3 상쇄를 위한 병렬결합 트랜지스터를 이용한 선형화된 HBT 기반 전력증폭기에 관한 것으로, RF 입력단자(RFIN)에 각각의 베이스 단자가 공통 연결되고 RF 출력 단자(RFOUT)에 각각의 콜렉터 단자가 공통 연결되어 서로 병렬 연결 구조를 갖는 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2);제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스단과 제 1 바이어스 회로단 사이에 서로 병렬 연결되는 밸러스트 저항(Rb)와 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1);제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단과 제 2 바이어스 회로단 사이에 서로 병렬 연결되는 밸러스트 저항(Rb)와 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1);를 포함하고, 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2) 각각에서 원 신호 성분은 서로 위상이 같고, 왜곡성분은 서로 위상이 180° 차이를 갖는 것이다.
Int. CL H03F 1/32 (2006.01.01) H03F 3/19 (2006.01.01) H03F 3/21 (2006.01.01) H03F 3/24 (2006.01.01)
CPC H03F 1/3217(2013.01) H03F 1/3217(2013.01) H03F 1/3217(2013.01) H03F 1/3217(2013.01)
출원번호/일자 1020160105442 (2016.08.19)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1793237-0000 (2017.10.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.19)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이옥구 대한민국 경기도 고양시 덕양구
2 백승준 대한민국 울산광역시 중구
3 안현진 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
3 나성곤 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0806824-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2017-0005468-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0147162-72
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0414262-89
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0509675-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0521755-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0521778-13
11 등록결정서
Decision to grant
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0685461-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
RF 입력단자(RFIN)에 각각의 베이스 단자가 공통 연결되고 RF 출력 단자(RFOUT)에 각각의 콜렉터 단자가 공통 연결되어 서로 병렬 연결 구조를 갖는 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2);제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스단과 제 1 바이어스 회로단 사이에 서로 병렬 연결되는 밸러스트 저항(Rb)와 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1);제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단과 제 2 바이어스 회로단 사이에 서로 병렬 연결되는 밸러스트 저항(Rb)와 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1);를 포함하고,제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2) 각각에서 원 신호 성분은 서로 위상이 같고, 왜곡성분은 서로 위상이 180° 차이를 갖고, 최종 출력 RF 출력단자(RFout)에서 병렬로 결합을 하여 원 신호 성분인 기본(fundamental) 성분은 증폭이 되고, 왜곡성분인 IMD3 성분은 상쇄가 되는 것을 특징으로 하는 IMD3 상쇄를 위한 병렬결합 트랜지스터를 이용한 선형화된 HBT 기반 전력증폭기
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 제 1 바이어스 회로단에 연결되는 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1)는 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스단과 제 1 바이어스 회로단 사이에 직렬 연결되고, 제 2 바이어스 회로단에 연결되는 밸러스트 저항(Rb1),밸러스트 커패시터(Cb1)는 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단과 제 2 바이어스 회로단 사이에 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 IMD3 상쇄를 위한 병렬결합 트랜지스터를 이용한 선형화된 HBT 기반 전력증폭기
4 4
제 1 항에 있어서, 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자는 RF 출력 단자(RFOUT)와 전원전압 단자(Vcc)에 공통으로 연결되고,제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 에미터 단자는 각각 접지단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 IMD3 상쇄를 위한 병렬결합 트랜지스터를 이용한 선형화된 HBT 기반 전력증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 부산대학교 산학협력단 시스템반도체상용화기술개발사업 (RCMS)LTE-A 기지국용 전력증폭기를 포함하는 RF-Transceiver 통합칩 개발