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하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 유기반도체 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X 는 S, O 또는 Se 이며;A는 C6-C30아릴렌 또는 C3-C30헤테로아릴렌이며;상기 A의 아릴렌 및 헤테로아릴렌은 C1-C50알킬, C1-C50알콕시, C1-C50알킬티오, C3-C30사이클로알킬, C1-C50알콕시C1-C50알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C50알킬, C1-C50알콕시C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴, C3-C30헤테로아릴C1-C50알킬, C1-C50알킬C3-C30헤테로아릴 및 C1-C50알콕시C3-C30헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있으며;상기 헤테로아릴 및 헤테로아릴렌은 N, O 및 S로부터 선택된 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고;상기 화학식 1의 반복단위의 수는 1 내지 2000의 정수이다
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제 1항에 있어서,상기 A는 C3-C30헤테로아릴렌인 것을 특징으로 하는 유기반도체 화합물
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제 2항에 있어서,상기 A는 하기 구조에서 선택되는 헤테로아릴렌인 것을 특징으로 하는 유기반도체 화합물:상기 Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 S, O 또는 Se 이며;R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소, C1-C50알킬, C1-C50알콕시, C1-C50알킬티오, C3-C30사이클로알킬, C1-C50알콕시C1-C50알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C50알킬, C1-C50알콕시C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴, C3-C30헤테로아릴C1-C50알킬, C1-C50알킬C3-C30헤테로아릴 또는 C1-C50알콕시C3-C30헤테로아릴이다
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제 3항에 있어서,하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함하는 유기반도체 화합물:[화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5]상기 화학식 2, 3, 4 및 5에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C50알킬, C1-C50알콕시, C1-C50알킬티오, C1-C50알콕시C1-C50알킬, C1-C50알콕시C6-C30아릴 또는 C1-C50알킬티에닐이며;R5 및 R6은 서로 독립적으로 C1-C50알킬, C1-C50알콕시C1-C50알킬, C6-C30아릴C1-C50알킬 또는 C3-C30헤테로아릴C1-C50알킬이며;상기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5의 반복단위의 수는 1 내지 2000의 정수이다
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5
제 4항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C20-C50알콕시, C20-C50알킬티오 또는 C20-C50알킬티에닐이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C20-C50알킬인 것을 특징으로 하는 유기반도체 화합물
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6
제 5항에 있어서,상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 이고, a는 1 내지 10의 정수이고, R은 분지쇄의 C20-C40의 알킬인 유기반도체 화합물
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7
제 6항에 있어서,상기 유기반도체 화합물은 하기 구조로부터 선택되는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반도체 화합물:상기 반복단위의 수는 1 내지 2000의 정수이다
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8
하기 화학식 6의 할라이드 화합물과 화학식 7의 비닐렌 단량체를 공중합 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 유기반도체 화합물을 제조하는 방법;[화학식 1][화학식 6][화학식 7]상기 화학식 1, 6 및 7에서, A는 C6-C30아릴렌 또는 C3-C30헤테로아릴렌이며, 상기 A의 아릴렌 및 헤테로아릴렌은 C1-C50알킬, C1-C50알콕시, C1-C50알킬티오, C3-C30사이클로알킬, C1-C50알콕시C1-C50알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C50알킬, C1-C50알콕시C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴, C3-C30헤테로아릴C1-C50알킬, C1-C50알킬C3-C30헤테로아릴 및 C1-C50알콕시C3-C30헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있으며;Y는 할로겐이고;X 는 S, O 또는 Se 이며;Z는 -B(OH)2, 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2일 또는 SnRaRbRc이고;Ra 내지 Rc는 서로 독립적으로 C1-C10알킬이며;상기 헤테로아릴 및 헤테로아릴렌은 N, O 및 S로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고;상기 화학식 1의 반복단위의 수는 1 내지 2000의 정수이다
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9
제 1항 내지 제 7항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 유기반도체 화합물을 포함하는 유기 전자 소자
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10
제 9항에 있어서,상기 유기 전자 소자는 유기 박막 트랜지스터 또는 광전자 소자인 유기 전자 소자
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11
제 10항에 있어서,상기 유기 박막 트랜지스터는 기판, 게이트전극, 절연막, 채널층 및 소스-드레인 전극을 포함하며, 상기 채널층은 상기 유기반도체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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12
제 11항에 있어서,상기 유기반도체 화합물 n형 재료인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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13
하기 화학식 7로 표시되는 비닐렌 단량체:[화학식 7]상기 화학식 7에서,X 는 S, O 또는 Se 이며,Z는 각각 독립적으로 할로겐, B(OH)2, 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2일 또는 SnRaRbRc이고;Ra 내지 Rc은 독립적으로 C1-C10알킬이다
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제 13항에 있어서,상기 비닐렌 단량체는 하기 구조로부터 선택되는 것인 비닐렌 단량체
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하기 화학식 8로 표시되는 화합물:[화학식 8]상기 화학식 8에서, X 는 S, O 또는 Se 이다
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