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하기 화학식 I로 표시되는 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염:[화학식 I]상기 화학식 I에서, R1 및 R2는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고;R3은 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고;X1 또는 X2는 H 또는 F이고;n은 1 내지 1,000의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식 I로 표시되는 화합물은 하기 표 1에 기재된 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염:[표 1]단, 상기 식에서 R1 및 R2는 C1 내지 C15의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; R3은 C3 내지 C8의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; n은 1 내지 1,000의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 화학식 I로 표시되는 화합물은 질량평균분자량이 5,000 내지 200,000인 것을 특징으로 하는 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염
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(S1) 하기 화학식 3 화합물과 N-브로모숙신이미드(N-Bromosuccinimide)와 반응하여 하기 화학식 4 화합물을 제조하는 단계;(S2) 하기 화학식 4 화합물과 2-아이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane)과 반응하여 하기 화학식 5 화합물을 제조하는 단계; 및(S3) 상기 (S1)에서 제조된 화학식 5 화합물을 염기의 존재 하에 하기 화학식 6A 또는 6B와 반응하여 상기 화학식 I 화합물을 제조하는 단계를 포함하는, 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 화학식 3 화합물을 제조하는 하기의 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 (S2) 단계에 사용된 염기는 탄산칼륨, 탄산나트륨, 수소화칼륨, 수소화나트륨, 수소화리튬 또는 포타슘 t-부톡사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염의 제조방법
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기판 상부에 형성되는 반투명 전극;정공 수송층;상기 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염을 포함하는 고분자 발광층; 및금속 전극;이 순차적으로 형성되고,상기 기판은 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 전기 발광 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 싸이에노[2,3-b]인돌 유도체 화합물, 이의 광학 이성질체 또는 이의 허용 가능한 염을 포함하는 광 에너지 변환 소자
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