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내측으로 탄소나노튜브 섬유의 합성이 이루어지는 반응영역을 구비하는 합성부;합성된 탄소나노튜브 섬유의 기계적, 전기적 특성을 향상시키기 위한 후처리부; 및후처리된 탄소나노튜브 섬유를 보빈에 권취하는 권취부;를 포함하고, 상기 후처리부는, 탄소나노튜브로부터 비정질탄소를 제거하는 저온 열처리부; 산처리를 통해 합성된 탄소나노튜브로부터 금속 불순물을 제거하는 정제부; 용매를 사용하여 합성된 탄소나노튜브의 집적도를 향상시키는 치밀화 공정부; 및 합성된 탄소나노튜브의 결정성을 향상시키 위한 고온 열처리부;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서, 합성부는,합성부 내부로 탄소나노튜브 섬유 원료를 공급하는 원료 공급부; 합성부 내부로 운반 가스를 공급하는 가스 공급부; 및반응영역의 온도를 500℃ 내지 1300℃로 조절할 수 있는 반응로;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제2항에 있어서,상기 탄소나노튜브 섬유 원료는 탄소공급원, 촉매 및 조촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제3항에 있어서,상기 탄소공급원은 아세톤, 에탄올, 메탄올, 프로판올, 자일렌, 클로로포름, 에틸아세트산, 디에틸에테르, 폴리에틸렌글리콜, 에틸포르메이트, 메시틸렌, 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸포름아마이드(DMF), 디클로로메탄, 헥산, 벤젠, 사염화탄소 및 펜탄으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제3항에 있어서,상기 촉매는 페로센(ferrocene), 철, 니켈, 코발트, 백금, 루테늄, 몰리브덴 및 바나듐으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제3항에 있어서,상기 조촉매는 싸이오펜(thiophene) 및 황(sulfur)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제2항에 있어서,상기 운반 가스는 수소 가스, 아르곤 가스, 질소 가스 및 암모니아 가스로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서,상기 저온 열처리부는 250℃ 내지 600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서,상기 저온 열처리부는 산소를 포함하는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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삭제
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제1항에 있어서,상기 산처리는 황산, 질산, 염산, 인산, 염화설폰산 및 카르복실산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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삭제
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제1항에 있어서,상기 치밀화 공정부는 물, 에탄올 및 아세톤으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서,상기 고온 열처리부는 1000℃ 내지 3000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서,상기 고온 열처리부는 질소 가스 및 아르곤 가스로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제1항에 있어서,상기 후처리부는, 합성된 탄소나노튜브의 표면을 개질시키는 플라즈마 처리부 혹은 도핑 공정부를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제18항에 있어서,상기 플라즈마 처리부는 300℃ 이상에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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제18항에 있어서,상기 도핑 공정부는 n형 도핑 또는 p형 도핑을 수행하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 섬유 제조장치
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