| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 형성되는 후면전극;상기 후면전극 상에 삼성분계 p형층으로 형성되는 p형 박막형 화합물 반도체층;상기 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 형성되는 n형 화합물 반도체층; 및상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전면전극을 포함하고,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2SnS3, Cu2SnSe3, Cu4SnS 및 Cu2Sn5S7 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 무기물을 함유하는 것인 가스센서
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 n형 화합물 반도체층은 CdS, ZnOS, ZnS, ZnO, SnO2, VO2, TiO2 및 In2O3 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2SnS3를 포함하고, 상기 n형 화합물 반도체층은 CdS를 포함하는 가스센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 후면전극은 Mo를 포함하고, 상기 전면전극은 Ag를 포함하는 가스센서
|
| 8 |
8
후면전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 삼성분계 p형층으로 형성되는 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 박막형 화합물 상에 n형 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 n형 화합물 반도체층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2SnS3, Cu2SnSe3, Cu4SnS 및 Cu2Sn5S7 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하는 단계; 및상기 전구체 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 열처리는 400℃~800℃에서 수행되는 가스센서의 제조방법
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 n형 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 상기 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 화합물 반도체를 성장시키는 단계인 가스센서의 제조방법
|
