1 |
1
아연 전구체, 주석 전구체 및 갈륨 전구체 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 금속 전구체 액적과 미세기포가 접촉하고 열반응하여 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자가 합성되는 단계를 포함하며,상기 단계는,s1) 상기 금속 전구체 액적이 반응부로 유입되는 전구체 액적 흐름 단계s2) 상기 미세기포가 상기 반응부로 유입되는 미세기포 흐름 단계 및s3) 상기 반응부에서 상기 금속 전구체 액적과 상기 미세기포가 접촉하고 열반응하는 단계를 포함하는 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 금속 전구체 액적은 상기 반응부 상부에서 하부 방향으로 유입되고, 상기 미세기포는 상기 반응부 하부에서 상부로 유입되어 상기 반응부 내의 유동층 반응영역에서 상기 금속 전구체 액적과 상기 미세기포가 충돌하여 열-수력학 반응을 하는 것인 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법
|
4 |
4
제1항에 있어서,하기 관계식 1을 만족하는 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법
|
5 |
5
제1항에 있어서,하기 관계식 3을 만족하는 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 금속 전구체 액적은 상기 아연 전구체 100 mol에 대하여 상기 갈륨 전구체 0
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 전구체 액적은 상기 주석 전구체 100 mol에 대하여 상기 갈륨 전구체 0
|
8 |
8
제5항의 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법으로 제조되는, 금속 산화물 입자의 표면 상에 플레이크 형상이 다수 겹쳐 형성되는 구조를 포함하는 갈륨 이온이 도핑된 아연 산화물 입자
|
9 |
9
삭제
|