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탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

기술번호 : KST2019026897
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 제 1 비아홀을 형성하는 제 1 비아홀 형성 단계와, 탄소 기판의 상면과 제 1 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와, 배리어막의 상면과 제 1 비아홀에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계와, 탄소 기판의 하면에서 상기 탄소 기판과 배리어막 및 제 1 도전형 실리콘층의 상면으로 관통하는 복수 개의 제 2 비아홀을 형성하는 제 2 비아홀 형성 단계와, 제 1 도전형 실리콘층의 상면과 제 2 비아홀에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계와, 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 1 비아홀을 통하여 노출되는 제 1 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 2 비아홀을 통하여 노출되는 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법을 개시한다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/06 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자	1020160096062 (2016.07.28)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1755030-0000 (2017.06.30)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20170707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.07.28)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장효식	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2016-0735001-30
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.12.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0026427-95
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0129561-64
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.04.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0387961-51
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2017-0387939-56
7	등록결정서 Decision to grant	2017.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0307197-78

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 제 1 비아홀을 형성하는 제 1 비아홀 형성 단계;상기 탄소 기판의 상면과 상기 제 1 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계;상기 배리어막의 상면과 상기 제 1 비아홀에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계; 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 탄소 기판과 배리어막 및 제 1 도전형 실리콘층의 상면으로 관통하는 복수 개의 제 2 비아홀을 형성하는 제 2 비아홀 형성 단계;상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면과 제 2 비아홀에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계;상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 1 비아홀을 통하여 노출되는 제 1 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 2 비아홀을 통하여 노출되는 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 비아홀과 제 2 비아홀은 직경 또는 폭이 50 ~ 200㎛의 크기로 형성되며, 상기 제 1 비아홀이 상기 제 2 비아홀보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 비아홀은 상기 탄소 기판에서 전측에서 후측으로 소정 간격으로 이격되어 제 1 열을 이루고, 상기 제 1 열이 일측에서 타측으로 소정 간격으로 이격되어 형성되며, 상기 제 2 비아홀은 상기 탄소 기판에서 전측에서 후측으로 소정 간격으로 이격되어 제 2 열을 이루고, 상기 제 2 열이 일측에서 타측으로 소정 간격으로 이격되면서 상기 제 1 열 사이에 위치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 실리콘층은 상기 제 1 비아홀의 내부를 채우면서 상기 탄소 기판의 하면까지 연장되어 상기 탄소 기판의 하면으로 노출되는 제 1 노출면을 형성하며,상기 제 1 전극은 상기 제 1 노출면과 직접 접촉하여 상기 제 1 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 제 2 도전형 실리콘층은 상기 제 2 비아홀의 내부를 채우면서 상기 탄소 기판의 하면까지 연장되어 상기 탄소 기판의 하면으로 노출되는 제 2 노출면을 형성하며,상기 제 2 전극은 상기 제 2 노출면과 직접 접촉하여 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형 실리콘층은 상기 제 1 도전형 실리콘층과 상기 제 2 비아홀에서 p-n접합을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	(주)뉴파워프라즈마	전략적핵심소재기술개발사업	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1755030-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20160728 출원 번호 : 1020160096062 공고 연월일 : 20170707 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170428 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 31/18 발명의 명칭 : 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	159,000 원	2017년 07월 03일	납입
제 4 년분	금 액	97,000 원	2020년 05월 22일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2016-0735001-30
2	선행기술조사의뢰서	2016.12.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2017.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0026427-95
4	의견제출통지서	2017.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0129561-64
5	[명세서등 보정]보정서	2017.04.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0387961-51
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2017-0387939-56
7	등록결정서	2017.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0307197-78


과제고유번호	1415148619
세부과제번호	10043793
연구과제명	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201609~201708
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)


과제고유번호	1415148619
세부과제번호	10043793
연구과제명	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발
성과구분	등록
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201609~201708
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020170166463]	레이저를 이용한 선택적 도금 방법	새창보기
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