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태양 전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019026916
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 도전성 타입의 실리콘 기판을 준비하는 기판 준비 단계와, 상기 실리콘 기판의 전면에 위치하는 제 2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와, 상기 실리콘 기판의 후면을 산화시켜 터널링 산화층을 형성하는 터널링 산화층 형성 단계와, 상기 터널링 산화층의 후면에 알루미늄 금속층을 증착하는 알루미늄 금속층 증착 단계와, 상기 알루미늄 금속층의 후면에 제 1 도전성 타입으로 도핑된 비정질 실리콘층을 증착하는 도핑 비정질 실리콘층 증착 단계와, 상기 알루미늄 금속층과 상기 도핑 비정질 실리콘층을 어닐링하여 상기 터널링 산화층의 후면에 도핑 다결정 실리콘층과 제 1 전극을 순차적으로 형성하는 어닐링 단계와, 상기 에미터층의 전면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와, 상기 패시베이션막의 전면에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계 및 상기 에미터층과 전기적으로 연결되도록 상기 패시베이션막과 반사방지막으로 노출되는 상기 에미터층의 전면에 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160123880 (2016.09.27)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1768907-0000 (2017.08.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0934596-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0007887-11
4 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0515799-11
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번호 청구항
1 1
제 1 도전성 타입의 실리콘 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 실리콘 기판의 전면에 위치하는 제 2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 실리콘 기판의 후면을 산화시켜 터널링 산화층을 형성하는 터널링 산화층 형성 단계와,상기 터널링 산화층의 후면에 알루미늄 금속층을 증착하는 알루미늄 금속층 증착 단계와,상기 알루미늄 금속층의 후면에 제 1 도전성 타입으로 도핑된 비정질 실리콘층을 증착하는 도핑 비정질 실리콘층 증착 단계와,상기 알루미늄 금속층과 상기 도핑 비정질 실리콘층을 어닐링하여 상기 터널링 산화층의 후면에 도핑 다결정 실리콘층과 제 1 전극을 순차적으로 형성하는 어닐링 단계와상기 에미터층의 전면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 전면에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계 및 상기 에미터층과 전기적으로 연결되도록 상기 패시베이션막과 반사방지막으로 노출되는 상기 에미터층의 전면에 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 터널링 산화층 형성 단계는 300℃ ~ 600℃의 공정 온도에서 오존을 공급하여 상기 터널링 산화층을 형성하며,상기 터널링 산화층은 1nm ~ 3nm의 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 n형 도전성 타입이며, 제 2 도전성 타입은 p형 도전성 타입인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 금속층은 200nm ~ 1,000nm의 두께로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 도핑 비정질 실리콘층은 100nm ~ 100㎛의 두께로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 어닐링 단계는 250 ~ 550℃의 온도 범위에서 진행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 에너지기술개발사업 태양광산업 원천기술 개발 및 중소·중견기업 경쟁력 제고를 위한 통합형기술개발 플랫폼 구축 및 운영